[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法在审

申请号：	201910108331.X	申请日：	2019-01-18
公开（公告）号：	CN111463307A	公开（公告）日：	2020-07-28
发明（设计）人：	辛科;叶亚宽;王磊;杨立红	申请（专利权）人：	北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
主分类号：	H01L31/0749	分类号：	H01L31/0749;H01L31/18
代理公司：	北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662	代理人：	孟德栋
地址：	100176 北京市大兴区北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法。薄膜太阳能电池包括依次设置的基板、背电极层、光吸收层、缓冲层、前电极层，所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括ZnOS膜层。本技术方案提供的薄膜太阳能电池中采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层，制备无镉缓冲层CIGS太阳能电池。采用ZnOS膜层作为缓冲层的薄膜太阳能电池可以避免使用重金属镉，免去工业上复杂的重金属处理工艺，同时会生产工人身体的危害大幅降低。
搜索关键词：	薄膜太阳能电池及其制备方法
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摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒电池及其制造方法，包括铜铟镓硒CIGS薄膜，CIGS薄膜从靠近缓冲层侧的前表面到靠近背电极侧的后表面，Ga梯度包含了两个极小值，CIGS薄膜的GGI值和带隙梯度均呈现“W”型分布。有效地提高了开路电压VOC，提高载流子收集效率，提高短路电流JSC，同时，“W”型梯度含有两个低GGI的区域，增加了长波长光子的吸收机率。

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摘要：本发明提供了一种低温溅射、双节钙钛矿、铜铟镓硫硒薄膜太阳能电池，运用于光伏电池领域包括：基板、钼薄膜、薄膜层和硫化层；基板上镀钼薄膜，钼薄膜上镀薄膜层，薄膜层上表面镀硫化层；基板为钠钙玻璃基板，或带有钠的另类柔性基板；薄膜层为光伏铜铟镓硫硒薄膜层；薄膜层上表面设置p‑n结区域；硫化层为带有镉的硫化层或不带镉的硫化层；硫化层上还设有钙钛矿薄膜；硫化镉上镀有绝缘层氧化锌，绝缘层氧化锌上镀有氧化锌参铝，氧化锌参铝上表面镀上镍；镍上面设有铝膜，铝膜上面镀有保护镍，保护镍上面使用钠钙玻璃或另类柔性基板作为覆盖层；钙钛矿薄膜包括透明前电极层、二氧化钛支架层、钙钛矿吸收层、及透明螺二甲氧基苯基孔穴传送层。

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摘要：本发明提供了一种柔性铜铟镓硒太阳能电池及其制备方法，所述电池包括柔性金属衬底以及在柔性金属衬底上依次设置的绝缘阻挡层、金属背电极层、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、窗口层和金属顶电极层；其中，所述绝缘阻挡层中掺杂有氧化钠。本发明的技术方案，在柔性金属衬底上先沉积掺杂有氧化钠的绝缘阻挡层，然后再依次制备背电极层和CIGS吸收层，Na元素以氧化钠的形式存在于绝缘阻挡层中，可以有效地在CIGS吸收层中掺入Na又避免Na元素过量掺入，提高电池的光电转换效果；另外，该绝缘阻挡层还可以阻止柔性金属衬底中的金属元素扩散至CIGS吸收层，避免金属元素的扩散导致对CIGS吸收层产生的不良影响。

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摘要：本发明提供一种CIS太阳能电池的制造方法，其包括：准备层状构件的工序，所述层状构件是在具有第一温度以上的耐热性的基板上形成第一电极层，在第一温度以上的条件下将CIS层成膜于第一电极层上，并在CIS层上形成第二电极层而成的；使层状构件的温度成为比第一温度低的第二温度的工序；在第二电极层上形成固体状态下的线膨胀系数比基板大的层形成物质的层的工序；和将层状构件冷却的工序，随着由层状构件的冷却实现的层形成物质的层的收缩，使CIS层从第一电极层剥离，得到薄膜状CIS太阳能电池。

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摘要：本发明公开了一种CIGS薄膜太阳能电池，其结构包括连接头、操作箱、组装座、散热孔，操作箱上设有连接头，连接头与操作箱活动连接，组装座安装在操作箱底部，操作箱与组装座相连接，散热孔设在操作箱上，操作箱与散热孔为一体化结构，操作箱设有操作器、箱体、调节器、电极块、背板层、吸光层，箱体内部设有吸光层，本发明整体的电池结构可被分为多个组装结构，根据实际的项目场地，利用电池组装结构的拆分组装，改变电池的尺寸，使得改变的电池尺寸规格符合实际项目场地所需的安装规格，在此过程中，技术人员便无需重新制作一个符合规格的电池进行组装。

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摘要：本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括：步骤(a)、在基板上形成下电极层；步骤(b)、在所述下电极层上供给铜前体以通过使用化学气相沉积法沉积铜薄膜，然后供给镓前体、铟前体及第一硒前体以通过使用化学气相沉积法沉积镓薄膜和铟‑硒薄膜来形成CIGS光吸收层；以及步骤(c)、在所述CIGS光吸收层上顺次形成缓冲层和前电极层。

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摘要：本实用新型公开了一种在基板边缘处设置隔离带的CIGS薄膜太阳能电池，在距离电池边缘0.1～1mm处设置隔离带，电池每条边的边缘处均设有隔离带，隔离带和与其对应的电池边缘相互平行，隔离带在电池外围围合成环型；隔离带的宽度为0.02～0.05mm，隔离带的深度为从电池上表面直达基板上表面。本实用新型电池片在电池边缘处设置隔离带，该隔离带可以有效避免边缘缺陷对中心正常区域的影响，有效降低了整片电池的漏电流，提高了电池的并联电阻，进而提高了转换效率，同时降低了因边缘漏电导致的热斑，进而提高电池使用寿命。经过大量实验证明，具有隔离带结构的电池效率提高了至少0.2％，边缘漏电热斑现象也得到显著改善。

一种柔性基底的CIGS太阳能薄膜电池及其制备方法-201910347110.8
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申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及一种柔性基底的CIGS太阳能薄膜电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，解决了现有技术中CIGS太阳能薄膜电池的光吸收效率低的技术问题。该柔性基底的CIGS太阳能薄膜电池包括柔性基底以及依次层叠在柔性基底上的背电极层、吸收层、缓冲层、本征氧化锌高阻抗层以及透明表面电极层；吸收层与背电极层之间设有碱金属掺杂复合层；碱金属掺杂复合层上设有通道，吸收层部分填充于通道内；透明表面电极层上设有锡电极，锡电极采用超声波焊接方式焊接在透明表面电极表面。本发明提供的CIGS太阳能薄膜电池能够充分吸收入射光，提高了电池的光吸收性能，进而提高了CIGS太阳能薄膜电池的输出性能。

薄膜太阳能电池及其制备方法-201910108331.X
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申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本申请涉及太阳能电池技术领域，具体而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法。薄膜太阳能电池包括依次设置的基板、背电极层、光吸收层、缓冲层、前电极层，所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层包括ZnOS膜层。本技术方案提供的薄膜太阳能电池中采用ZnOS膜层代替现有技术中的CdS膜层缓冲层，制备无镉缓冲层CIGS太阳能电池。采用ZnOS膜层作为缓冲层的薄膜太阳能电池可以避免使用重金属镉，免去工业上复杂的重金属处理工艺，同时会生产工人身体的危害大幅降低。

太阳能电池及其制备方法-201811545687.1
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申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，包括电极层、窗口层和缓冲层，所述窗口层设置在所述电极层和所述缓冲层之间，所述窗口层包括至少三层氧化锌层，且沿所述缓冲层指向所述电极层的方向，各氧化锌层中的铝掺杂浓度呈梯度增大。本发明的技术方案，能够降低太阳能电池的串联电阻，提高太阳电池的光学透过率，最终提高整个太阳电池的光电转换效率。

一种具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法-201910345538.9
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申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明公开了一种具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法，属于CIGS太阳能电池薄膜材料技术领域，解决现有技术中掺杂的碱金属利用率低，不利于提高电池性能的问题。本发明的CIGS太阳能电池包括碱金属复合层和CIGS层，碱金属复合层包括第一碱金属层和第二碱金属层，第一碱金属层位于CIGS层和第二碱金属层之间；第一碱金属层包括金属Na，第二碱金属层包括金属K和Rb中的至少一种。复合碱金属层的形成方法包括采用第二靶材、磁控溅射工艺在基板上形成第二碱金属层；采用第一靶材、磁控溅射工艺在第二碱金属层上形成第一碱金属层。本发明的具有碱金属复合层的CIGS太阳能电池及其制备方法可用于太阳能发电。

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发明人：张准;王磊 -专利权人：潮州市亿加光电科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及一种具有柔性基底的CIGS太阳能电池及其制备方法，属于CIGS太阳能电池技术领域，解决了现有CIGS太阳能薄膜电池光吸收率低且很难应用于曲面造型的光伏建筑物及移动式光伏电站的技术问题。该柔性基底CIGS太阳能电池，包括基底以及依次层叠在基底上的背电极层、反射层、吸收层、第一缓冲层以及透明表面电极层；反射层与吸收层之间设有碱金属掺杂复合层，所述碱金属掺杂复合层和反射层上对应的设有至少一个通道，通道底部为背电极层，通道侧壁为Mo电极薄膜层，吸收层的一部分填充于通道内并与背电极层直接物理接触。本发明提供的柔性基底CIGS太阳能电池光的吸收率高，能够大规模用于光伏建筑物的曲面造型以及移动式的光伏电站。

太阳能电池及其制备方法-201811160969.X
发明人：施栓林;黄亚丽 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本申请涉及一种本申请太阳能电池及其制备方法。本申请中，提供一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括的背板、吸收层、缓冲层、第一窗口层以及第二窗口层。所述第一窗口层设置于所述缓冲层远离所述吸收层的表面。所述第一窗口层的材料为氧化锌锡。所述第二窗口层为掺铝的氧化锌。通过具有较高透光率的所述第一窗口层和所述第二窗口层的透光率高。以禁带宽度较为接近的所述第一窗口层和所述第二窗口层作为电子传输层，可以提高所述太阳能电池中电子的迁移率，提高所述太阳能电池的光电转换效率。

一种太阳能电池及其缓冲层和制备方法-201910345516.2
发明人：张准;王磊 -专利权人：圣晖莱南京能源科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及一种太阳能电池及其缓冲层和制备方法，属于太阳能电池薄膜材料技术领域，解决了现有技术中使用现有无镉材料作为缓冲层的太阳能电池的转换效率低于具有硫化镉缓冲层的太阳能电池的转换效率，并且现有无镉材料制成的太阳能电池缓冲层厚度较厚的问题。太阳能电池的缓冲层包括硒化铟层和硫化铟层，硒化铟层位于靠近光吸收层的一侧，硫化铟层和硒化铟层均含有钠。制备方法包括以下步骤：将沉积有背面电极层和光吸收层的基板依次经过第一靶材组件和第二靶材组件，采用磁控溅射工艺在光吸收层上依次形成硒化铟层和硫化铟层。本发明的缓冲层中掺杂钠可以用于改善太阳能电池的性能。

包括多重缓冲层的太阳能电池及其制造方法-201510312947.0
发明人：李根;郭元燮;金珍赫;金譓俐;金镇雄 -专利权人： SK新技术株式会社
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基底；形成在基底上的背电极层；形成在背电极层上的光吸收层；包括通过原子层沉积(ALD)形成在光吸收层上的无氧的第一缓冲层和通过原子层沉积(ALD)形成在第一缓冲层上的第二缓冲层的缓冲层；以及形成在缓冲层上的前电极层。

具有镜层的薄层光电池结构-201380028812.0
发明人：内加·纳格哈维;扎查里·杰赫尔;丹尼尔·林科特;金-弗朗索斯·古伊莱莫莱斯 -专利权人：国家科学研究中心;法国电力公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：具有镜层的薄层光电池结构。本发明涉及应用于太阳能电池板的光电池结构。该薄层光电池结构包括具有将照射光转换为电能的光电属性的至少一个I‑III‑VI₂合金层(CIGS)。特别地，该结构至少包括：一个具有反射一部分照射光的表面(FR)的镜层(MR)，其中该反射表面(FR)面对I‑III‑VI₂合金层的第一面(F1)，以在所述第一面上接收反射的照明射光；以及一个或多个对于照射光透明的第一层(CA，ENC)，以在位于第一面(F1)反面的I‑III‑VI₂合金层的第二面(F2)上接收传输的照明光。

一种太阳能电池-201821249142.1
发明人：张志海;赵军 -专利权人：黑龙江华夏易能新能源科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：一种太阳能电池，包括：衬底；设置在所述衬底上的导电膜；设置在所述导电膜上的中间层；设置在所述中间层上的光电层；以及设置在所述光电层上的窗口层；其中，所述中间层配置为与所述光电层实现准欧姆接触。本申请的太阳能电池包括厚度可控的中间层，使所述光电层与导电膜之间减少了接触电阻带来的损失，提高了短路电流，并能够抑制光电层的扩散，延长了太阳能电池的寿命。

一种铜铟镓硒太阳能电池组件-201820628805.4
发明人：赵树利;杨立红;叶亚宽;王磊 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本实用新型涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件，包括：基板；背电极，设置在所述基板上；光吸收层，设置在所述背电极上；缓冲层：设置在所述光吸收层上；窗口层，设置在缓冲层上；其中，所述窗口层包括高阻层和透明导电层，所述透明导电层包括设置在高阻层上的石墨烯基复合薄膜。本实用新型实施例所涉及的铜铟镓硒太阳能电池组件，通过在CIGS薄膜太阳能制备过程中引入石墨烯基薄膜充当透明导电层，石墨烯基复合薄膜的透光率可高达94％，同时电阻率低于8Ω/sq，有效的提高CIGS薄膜太阳能电池组件透明导电层的透光性和导电性，提高了铜铟镓硒太阳能电池组件的转换效率。

一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法-201711405851.4
发明人：王金晓;左华平;王虎;高恒蛟;李坤 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及一种掺钾柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，属于表面工程技术领域。本发明主要是利用离子束硒化磁控溅射一步法实现在较低温度下生成平整、致密、均匀的高质量CIGS吸收层，降低了CIGS吸收层制备温度，并且简化了CIGS吸收层制备工艺；而且在生长CIGS吸收层前，先制备氟化钾预置层，实现对CIGS吸收层进行钾掺杂，有利于改善CIGS吸收层的电学性能，本发明所述方法实现了高转换效率的柔性CIGS太阳能电池的制备。

一种铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构及其制备方法-201711171294.4
发明人：杨晓艳 -专利权人：杨晓艳
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构及其制备方法，其中，铜铟镓硒薄膜太阳电池的器件结构包括衬底、背接触层、吸收层、缓冲层、窗口层、减反层和顶电极，并依次叠加，形成叠层结构。铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法主要包括利用真空蒸镀的方法依次形成上述各功能层。采用该方法，可以实现在真空系统中完成整个铜铟镓硒薄膜太阳电池器件的制备，实现了真空工艺的连续性，节约了时间成本，解决了由于采用非真空法形成某一功能层造成的真空工艺的不连续及由此带来的时间成本较高的问题。同时，通过各功能层的优化，进一步提升铜铟镓硒薄膜太阳电池的光电转换效率。

太阳能电池装置及其制造方法-201380018189.0
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申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：根据本实施例的太阳能电池装置包括支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的多个缓冲层，所述缓冲层具有向上逐渐增加的能带隙；以及在所述缓冲层上的窗口层。

光伏材料及其制备方法-201510083957.1
发明人：王婷婷;钟国华;薛艳君;顾光一;程亚;张倩;李晓光;罗海林;杨春雷;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
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摘要：本发明提供一种光伏材料及其制备方法。一种光伏材料，分子式为Cu(Al1‑y,Xy)Se2，其中X为第IV主族元素、Ti、V或者Fe，y＝0.03～0.25；所述光伏材料为类似CuAlSe2的正交晶系黄铜矿型结构，其中X元素替代部分Al原子的晶格位置。上述材料可以同时吸收近红外和可见波段的太阳光。使用该新型材料作为吸收层制作光伏器件时，既可以具有宽禁带半导体的高电压特性，也具有窄禁带材料的高电流特性，从而使得光伏器件具有更高转化效率。

太阳能电池及其制造方法-201480003043.3
发明人：田永权 -专利权人：田永权
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及一种用于改进太阳能电池的光电转换效率的太阳能电池的结构及其制造方法。根据本发明的太阳能电池的一个方面涉及一种太阳能电池，该太阳能电池具有形成在彼此面对设置的两个电极之间的光吸收层，其中，在所述电极与所述光吸收层之间形成有电极化层，该电极化层包括形成内建电场的电极化材料。

薄膜太阳能电池和制备其的方法-201410119473.3
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申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及薄膜太阳能电池和制备其的方法。薄膜太阳能电池包括基板、第一电极、光电转化层和第二电极。将第一电极、光电转化层和第二电极层压在基板上。光电转化层具有层压的层状结构，其至少包括p型层和n型层。p型层由Cu、In、Ga和Se形成，并且p型层的Se的组成比等于或高于40原子%和低于50原子%。n型层是选自第2族、第7族和第12族的至少一个族的元素，第13族的元素，以及第16族的元素的化合物，以及包含至少In作为第13族的元素和至少S作为第16族的元素。

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摘要：本发明涉及铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池及其制备方法，所述太阳电池包括依次形成于玻璃基片上的N型透明导电膜、和N型宽带隙半导体微粒多孔膜；在所述N型宽带隙半导体微粒多孔膜的孔隙内和表面原位生成从而与其复合的铜铟镓硫硒敏化层；以及形成于所述铜铟镓硫硒敏化层上的背电极；其中，所述全固态铜铟镓硫硒敏化半导体阳极太阳电池不含有机染料和液态电解质。本发明中，铜铟镓硫硒在多孔半导体阳极的孔隙内和表面原位生成，因此铜铟镓硫硒与多孔半导体阳极之间可实现紧密的化学结合，实现光生载流子在界面上有效传输。

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摘要：本发明提供了一种铜铟镓硒表面硫化的工艺方法。该方法包含：利用沉积技术，在铜铟镓硒层上沉积硫单质层；以及进行退火程序，在所述铜铟镓硒层表面上形成硫化处理层。利用沉积技术，较容易控制硫单质层的膜厚，也较容易控制硫单质层的均匀性，而且不需要现有技术工艺中气体的混合及均匀化过程，故工艺的稳定性也相对较高。使用硫单质作为制造材料，提高了工艺的安全性。此外，利用沉积技术亦能够提高制造速度，减少工艺工时，能够更进一步减少制造的成本。该工艺方法使铜铟镓硒层的表面转化为铜铟镓硫硒(CIGS_xSe_1-x)，以提升铜铟镓硒薄膜太阳能电池的发电效率与性能。

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摘要：公开了一种太阳能电池模块及其制造方法。所述太阳能电池模块包括：背电极层，布置在支撑基板上，并且具有第一分离图案；光吸收层，布置在所述背电极层上并且具有第二分离图案；以及，多个太阳能电池，布置在所述光吸收层上，并且形成为具有包括绝缘体的前电极层。

一种CIGS基薄膜太阳能电池-201620109991.1
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本实用新型提供了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括：衬底、背电极层、金属氮化物层、光吸收层、缓冲层、透明导电层。本实用新型通过在背电极层与光吸收层之间设置一金属氮化物层可有效控制硒化热处理对背电极层的影响，同时可将光反射进入光吸收层中，因此本实用新型增大薄膜太阳能电池的短路电流且可降低薄膜太阳能电池的串联电阻，提高薄膜电池的性能。

一种CIGS基薄膜太阳能电池-201620109463.6
发明人：李艺明;邓国云 -专利权人：厦门神科太阳能有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本实用新型提供了本实用新型公开了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括衬底、背电极层、光吸收层、第一缓冲层、第二缓冲层、透明导电层，所述第一缓冲层和第二缓冲层具有不同的禁带宽度。本实用新型通过在光吸收层与透明导电层之间形成第一缓冲层和第二缓冲层可使它们之间产生合适的带隙，可减少载流子在界面处的复合，从而提高薄膜太阳能电池的性能。

太阳能电池及其制造方法-201480032391.3
发明人：田永权 -专利权人：田永权
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L31/0749
摘要：本发明涉及CIGS太阳能电池及其制造方法，并且该CIGS太阳能电池包括基板、背电极、光吸收层、缓冲层和前透明电极，其中，所述缓冲层包括Ti化合物。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法在审

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