[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201480003043.3 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104781937B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 田永权 | 申请(专利权)人: | 田永权 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于改进太阳能电池的光电转换效率的太阳能电池的结构及其制造方法。根据本发明的太阳能电池的一个方面涉及一种太阳能电池,该太阳能电池具有形成在彼此面对设置的两个电极之间的光吸收层,其中,在所述电极与所述光吸收层之间形成有电极化层,该电极化层包括形成内建电场的电极化材料。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池具有形成在彼此面对设置的两个电极之间的光吸收层,其中,在所述电极与所述光吸收层之间形成有电极化层,该电极化层包括形成内建电场的电极化材料,其中,所述光吸收层包括具有M1、M2、X及其组合的化合物,其中,M1是铜(Cu)、银(Ag)或其组合,M2是铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、锌(Zn)、锗(Ge)、锡(Sn)或其组合,并且X是硒(Se)、硫(S)或其组合,其中,所述电极化材料是包括钛(Ti)的化合物或包括钛(Ti)和铜(Cu)的化合物。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的