[发明专利]阵列基板和阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201910104730.9 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109817724A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谭威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开一种阵列基板和阵列基板的制造方法，该阵列基板包括：基板、缓冲层、半导体层、绝缘层和栅极层；所述缓冲层设置在所述基板之上；所述半导体层设置在所述缓冲层之上；所述绝缘层覆盖所述缓冲层和所述半导体层；所述栅极层设置在所述绝缘层之上；其中，所述半导体层包括载流子通道，所述载流子通道位于所述半导体层朝向所述绝缘层的一侧，所述绝缘层包括第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层覆盖所述半导体层和所述缓冲层，所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层，所述栅极层位于所述第二薄膜层上，所述第一薄膜层的致密度大于所述第二薄膜层的致密度，所述载流子通道与所述第一薄膜层相接。本方案可以提高阵列基板的电性稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜层 半导体层 阵列基板 缓冲层 绝缘层 载流子通道 栅极层 基板 电性稳定性 绝缘层覆盖 覆盖 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板、缓冲层、半导体层、绝缘层和栅极层；所述缓冲层设置在所述基板之上；所述半导体层设置在所述缓冲层之上；所述绝缘层覆盖所述缓冲层和所述半导体层；所述栅极层设置在所述绝缘层之上；其中，所述半导体层包括载流子通道，所述载流子通道位于所述半导体层朝向所述绝缘层的一侧，所述绝缘层包括第一薄膜层和第二薄膜层，所述第一薄膜层覆盖所述半导体层和所述缓冲层，所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层，所述栅极层位于所述第二薄膜层上，所述第一薄膜层的致密度大于所述第二薄膜层的致密度，所述载流子通道与所述第一薄膜层相接。
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