[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201910097592.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110120239B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 冨田泰弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置能够满足多种可靠性条件和多种性能要求。本发明的可变电阻存储器使得有可能通过根据来自外部的写入命令的类型而变化写入条件来将数据写入到存储器阵列中。如果写入命令为耐久性相关的命令，那么选择耐久性算法并将数据写入耐久性存储区域。如果写入命令为保持性相关的命令，那么选择保持性算法并将数据写入保持性存储区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：存储器阵列，包括可逆且非易失性可变电阻元件；以及写入元件，基于根据写入命令的类型而选择的写入条件来将数据写入到所述存储器阵列。
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