[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910097564.4 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111509044B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李茂;郑大燮;陈德艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底内具有邻接的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子导电类型相反；在第二掺杂区内形成若干个相互分立的第一隔离结构；在相邻第一隔离结构之间以及第一隔离结构底部的第二掺杂区内形成第三掺杂区，第三掺杂区内具有第三掺杂离子，第三掺杂离子与第二掺杂离子导电类型相反；在部分第一掺杂区、第二掺杂区和第一隔离结构表面形成栅极结构；在栅极结构一侧的第一掺杂区内形成源区；在栅极结构另一侧的第二掺杂区内形成漏区，部分所第一隔离结构位于栅极结构与漏区之间。所形成的器件性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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