[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910093561.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110620116B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边优太;美浓明良;园田真久;清水敬 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能提高接触部的加工性的半导体存储装置及其制造方法。实施方式中的半导体存储装置具有：半导体基板；叠层体，由多个电极层沿垂直于半导体基板的第1方向叠层在半导体基板上而形成；第1绝缘体，沿与第1方向正交的第2方向将叠层体分断，平行于半导体基板，且沿与第2方向正交的第3方向延伸；接触部，在利用第1绝缘体连续地包围叠层体的一部分而成的第1区域内，沿第1方向贯通叠层体；及存储部，于在第3方向上与第1区域邻接的第2区域内，沿第1方向贯通叠层体及第1绝缘体。第1区域的第2方向上的第1宽度大于第2区域内的被第1绝缘体分断的电极层的第2方向上的第2宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有：/n半导体基板；/n叠层体，由多个电极层沿垂直于所述半导体基板的第1方向叠层在所述半导体基板上而形成；/n第1绝缘体，沿与所述第1方向正交的第2方向将所述叠层体分断，平行于所述半导体基板，且沿与所述第2方向正交的第3方向延伸；/n接触部，在利用所述第1绝缘体连续地包围所述叠层体的一部分而成的第1区域内，沿所述第1方向贯通所述叠层体；及/n存储部，于在所述第3方向上与所述第1区域邻接的第2区域内，沿所述第1方向贯通所述叠层体及所述第1绝缘体；/n所述第1区域的所述第2方向上的第1宽度大于所述第2区域内的由所述第1绝缘体分断的所述电极层的所述第2方向上的第2宽度。/n
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