[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具有：

半导体基板；

叠层体，由多个电极层沿垂直于所述半导体基板的第1方向叠层在所述半导体基板上而形成；

第1绝缘体，沿与所述第1方向正交的第2方向将所述叠层体分断，平行于所述半导体基板，且沿与所述第2方向正交的第3方向延伸；

接触部，在利用所述第1绝缘体连续地包围所述叠层体的一部分而成的第1区域内，沿所述第1方向贯通所述叠层体；及

存储部，于在所述第3方向上与所述第1区域邻接的第2区域内，沿所述第1方向贯通所述叠层体及所述第1绝缘体；

所述第1区域的所述第2方向上的第1宽度大于所述第2区域内的由所述第1绝缘体分断的所述电极层的所述第2方向上的第2宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

还具有设于所述半导体基板与所述叠层体之间的导电层，

所述接触部的下端与所述导电层连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

多个所述接触部设在一个所述第1区域内。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

具有多个所述第1区域，多个所述接触部逐个地设在所述第1区域内。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中

由所述多个接触部沿所述第3方向等间隔地排列而成的行设有多个，在所述第2方向上彼此相邻的各行之间以所述接触部的中心间距的一半而错开。

6.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其中

在所述第1区域内，还具有沿所述第3方向局部地将所述叠层体分断的第2绝缘体。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述接触部贯通所述第2绝缘体。

8.一种半导体存储装置的制造方法，包含如下步骤：

在半导体基板上，形成由多个膜沿垂直于所述半导体基板的第1方向叠层而成的叠层体；

形成第1狭缝，该第1狭缝沿与所述第1方向正交的第2方向将所述叠层体分断，平行于所述半导体基板，且沿与所述第2方向正交的第3方向延伸；

将第1绝缘体填埋于所述第1狭缝；

在利用所述第1绝缘体连续地包围所述叠层体的一部分而成的第1区域内，形成沿所述第1方向贯通所述叠层体的第1孔；

在所述第1孔内形成接触部；

于在所述第3方向上与所述第1区域邻接的第2区域内，形成沿所述第1方向贯通所述叠层体及所述第1绝缘体的第2孔；及

在所述第2孔内形成存储部；

以所述第1区域的所述第2方向上的第1宽度大于所述第2区域内的所述叠层体的所述第2方向上的第2宽度的方式形成所述第1狭缝。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其中

以形成多个所述第1区域的方式利用所述第1狭缝将所述叠层体分断，并在所述多个第1区域内分别形成多个所述接触部。

10.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其中

在所述第1区域内，形成沿所述第2方向将所述叠层体分断的第2狭缝，

将第2绝缘体填埋于所述第2狭缝。