[发明专利]沟槽栅功率MOSFET及制造方法在审
| 申请号： | 201910089924.6 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109817720A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 颜树范 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅功率MOSFET，包括多个沟槽栅、体区、源区和位于背面的漏区，沟槽栅包括栅极沟槽，栅介质层和多晶硅栅。沟槽栅功率MOSFET包括相并联的多个MOSFET单元结构和至少一个SBR单元结构。MOSFET单元结构的多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极，源区和所述体区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极。SBR单元结构的多晶硅栅、源区和体区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极。本发明还公开了一种沟槽栅功率MOSFET的制造方法。本发明能嵌入SBR单元结构，从而能提高器件的恢复速率，实现快速恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽栅 功率MOSFET 正面金属层 单元结构 多晶硅栅 接触孔 体区 源区 源极 快速恢复 栅极沟槽 栅介质层 并联 漏区 嵌入 制造 恢复 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅功率MOSFET，其特征在于，包括多个沟槽栅；所述沟槽栅包括栅极沟槽，栅介质层和多晶硅栅，所述栅介质层形成于所述栅极沟槽的底部表面和侧面，所述多晶硅栅填充于所述沟槽栅中；所述栅极沟槽形成于第一导电类型的第一外延层中；第二导电类型的体区形成于第一外延层中，所述多晶硅栅的深度大于所述体区的结深，被所述多晶硅栅侧面覆盖所述体区的表面用于形成沟道；在所述体区的顶部表面中形成有第一导电类型重掺杂的源区；漏区由形成于所述第一外延层背面的第一导电类型重掺杂区组成；由位于所述体区和所述漏区之间的所述第一外延层组成漂移区；沟槽栅功率MOSFET包括多个MOSFET单元结构和至少一个SBR单元结构，各所述MOSFET单元结构和所述SBR单元结构相并联；所述MOSFET单元结构的所述多晶硅栅的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的栅极，所述源区和所述体区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极；所述接触孔穿过层间膜，所述正面金属层形成于所述层间膜的表面；所述SBR单元结构的所述多晶硅栅、所述源区和所述体区的顶部通过接触孔连接到由正面金属层组成的源极；所述漏区的背面形成有由背面金属层组成的漏极，所述漏极为所述MOSFET单元结构和所述SBR单元结构共用。
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