[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201910081894.4 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110010562B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/207 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;郭星 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件。半导体器件包括基于III族半导体氮化物的沟道层、形成在沟道层上的基于III族半导体氮化物的势垒层、形成在沟道层中的二维电子气沟道、形成在势垒层上并且彼此横向间隔的第一电流电极和第二电流电极、以及形成在第一电流电极和第二电流电极之间的势垒层上的栅极结构。势垒层具有在第一电流电极和第二电流电极之间的对称形状的凹陷，对称形状的凹陷包括形成在势垒层的上表面的一部分中的第一凹陷部分以及形成在第一凹陷部分内的第二凹陷部分。栅极结构包括填充对称形状的凹陷的基于III族半导体氮化物的掺杂层，以及形成在与势垒层相对的掺杂层的上侧上的导电栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基于III族半导体氮化物的沟道层；形成在所述沟道层上的基于III族半导体氮化物的势垒层；形成在靠近所述沟道层和所述势垒层之间的交界面的所述沟道层中的二维电子气沟道；形成在所述势垒层上并且彼此横向间隔的第一电流电极和第二电流电极；以及形成在所述第一电流电极和所述第二电流电极之间的所述势垒层上的栅极结构，所述栅极结构被配置为控制所述二维电子气沟道的传导状态；其中所述势垒层包括在所述第一电流电极和所述第二电流电极之间的对称形状的凹陷，所述对称形状的凹陷包括形成在所述势垒层的上表面的一部分中的第一凹陷部分以及形成在所述第一凹陷部分内的第二凹陷部分；其中所述栅极结构包括填充所述对称形状的凹陷的基于III族半导体氮化物的掺杂层，以及形成在与所述势垒层相对的所述掺杂层的上侧的导电栅极电极。
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