[发明专利]静电防护电路及制造方法、静电防护模块及液晶显示装置

摘要

本发明提出一种静电防护电路，涉及液晶显示领域，包括N个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管从下往上依次包括：第一金属层，包括第一栅极以及第一源漏极；栅极绝缘层，设有第一开孔；半导体层；刻蚀保护层，设有第二开孔；第二金属层，包括第二源漏极以及第二栅极；其中，与第一栅极对应的一段半导体层中靠近第一栅极的一侧为前沟道，与第二栅极对应的一段半导体层中靠近第二栅极的一侧为背沟道；正向时，半导体背沟道导电，电荷从第二源漏极往第一源漏极方向流通；反向时，半导体前沟道导电，电荷从第一源漏极往第二源漏极方向流通。该静电防护电路在刻蚀型保护型薄膜晶体管中利用顶栅和底栅作用，在立体方向上实现双二极管连接。

主权项

1.一种静电防护电路，其特征在于，包括N个薄膜晶体管，N为大于1的整数；N个薄膜晶体管依序连接设置在第一电极线和第二电极线之间；所述薄膜晶体管从下往上依次包括：第一金属层，包括第一栅极以及与第一栅极连接的第一源漏极；栅极绝缘层，覆盖第一金属层，所述栅极绝缘层设有位于第一源漏极上的第一开孔；半导体层，位于栅极绝缘层上，所述半导体层通过第一开孔与第一源漏极接触；刻蚀保护层，覆盖半导体层，所述刻蚀保护层设有位于第一栅极上的第二开孔；第二金属层，覆盖刻蚀保护层，所述第二金属层包括覆盖第二开孔的第二源漏极以及与所述第二源漏极连接的第二栅极；其中，与第一栅极对应的一段半导体层中靠近第一栅极的一侧为前沟道，与第二栅极对应的一段半导体层中靠近第二栅极的一侧为背沟道；正向时，半导体背沟道导电，电荷从第二源漏极往第一源漏极方向流通；反向时，半导体前沟道导电，电荷从第一源漏极往第二源漏极方向流通。