[发明专利]用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备在审
| 申请号： | 201910059581.9 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110491825A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李耕希;李睃荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备。该用于制造半导体装置的方法包括在基底上形成下结构。下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层。在下结构中形成第一孔。第一孔使基底的上表面暴露。在第一孔中形成牺牲图案。牺牲图案的孔隙率朝向基底增加。在下结构和牺牲图案上形成上结构。上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。在上结构中形成第二孔。第二孔使牺牲图案暴露。去除牺牲图案。 | ||
| 搜索关键词： | 牺牲图案 半导体装置 基底 绝缘层 牺牲层 堆叠 制造设备 孔隙率 上表面 暴露 重复 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，所述用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：/n在基底上形成下结构，下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层；/n在下结构中形成第一孔，第一孔使基底的上表面暴露；/n在第一孔中形成牺牲图案，其中，牺牲图案的孔隙率朝向基底增加；/n在下结构和牺牲图案上形成上结构，上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层；/n在上结构中形成第二孔，第二孔使牺牲图案暴露；以及/n去除牺牲图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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