[发明专利]用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，所述用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：

在基底上形成下结构，下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层；

在下结构中形成第一孔，第一孔使基底的上表面暴露；

在第一孔中形成牺牲图案，其中，牺牲图案的孔隙率朝向基底增加；

在下结构和牺牲图案上形成上结构，上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层；

在上结构中形成第二孔，第二孔使牺牲图案暴露；以及

去除牺牲图案。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，形成牺牲图案的步骤包括：

在下结构上设置牺牲材料；以及

使用牺牲材料执行旋涂工艺。

3.根据权利要求2所述的用于制造半导体装置的方法，其中，牺牲材料包括环戊硅烷和/或环己硅烷。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，形成牺牲图案的步骤包括以下步骤：

形成第一材料图案，第一材料图案填充第一孔的第一部分并且具有第一孔隙率；以及

在第一材料图案上形成第二材料图案，第二材料图案填充第一孔的第二部分并且具有第二孔隙率，第二孔隙率比第一孔隙率低。

5.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，牺牲图案包括在牺牲图案的下部分中的空隙。

6.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，所述用于制造半导体装置的方法还包括：

在去除牺牲图案之后在第一孔和第二孔中形成半导体层。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体装置的方法，所述用于制造半导体装置的方法还包括：

去除第一牺牲层和第二牺牲层以使半导体层暴露；

在半导体层上形成电荷存储层；以及

在电荷存储层上形成栅极图案。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，第一牺牲层和第二牺牲层均包括硅、氮化硅、氮氧化硅和/或碳化硅。

9.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，第一绝缘层和第二绝缘层均包括氧化硅。

10.根据权利要求1所述的用于制造半导体装置的方法，其中，牺牲图案包括多晶硅。

11.一种用于制造半导体装置的方法，所述用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：

设置包括第一孔的下结构；

形成至少部分地填充第一孔的第一部分的第一材料图案，第一材料图案具有第一孔隙率；

在第一材料图案上形成第二材料图案，第二材料图案填充第一孔的第二部分，第二材料图案具有第二孔隙率，第二孔隙率比第一孔隙率低；

在下结构和第二材料图案上形成上结构；

在上结构中形成与第一孔至少部分地叠置的第二孔；以及

去除第一材料图案和第二材料图案。

12.根据权利要求11所述的用于制造半导体装置的方法，其中，下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层，

其中，上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。

13.根据权利要求11所述的用于制造半导体装置的方法，其中，形成第一材料图案的步骤包括使用第一浓度的牺牲材料执行第一旋涂工艺，

其中，形成第二材料图案的步骤包括使用第二浓度的牺牲材料执行第二旋涂工艺，第二浓度高于第一浓度。

14.根据权利要求13所述的用于制造半导体装置的方法，其中，原位地执行第一旋涂工艺和第二旋涂工艺。