[发明专利]用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备

说明书

公开了一种用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备。该用于制造半导体装置的方法包括在基底上形成下结构。下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层。在下结构中形成第一孔。第一孔使基底的上表面暴露。在第一孔中形成牺牲图案。牺牲图案的孔隙率朝向基底增加。在下结构和牺牲图案上形成上结构。上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。在上结构中形成第二孔。第二孔使牺牲图案暴露。去除牺牲图案。

本申请要求于2018年5月14日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0054797号韩国专利申请和于2018年6月15日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0068769号韩国专利申请的优先权，这些韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及半导体装置制造，更具体地，涉及一种用于制造半导体装置的方法和使用该方法的半导体装置的制造设备。

背景技术

半导体存储器装置是利用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和/或磷化铟(InP)的半导体实现的存储器存储装置。半导体存储器装置可以被概略地分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是在没有电力时不保留存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置是即使在没有电力时也能够保留存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括闪存、ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)和电阻式存储器(例如，PRAM(相变RAM)、FRAM(铁电RAM)和PRAM(电阻式RAM))等。

当前的非易失性存储器装置被高度集成，并且因此能够利用小的形状因子存储大量数据。

在二维或平面存储器装置的情况下，由单位存储器单元占据的面积来确定集成度。三维存储器装置也已经被实施。在三维存储器装置中，单位存储器单元被垂直布置。

发明内容

一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括在基底上形成下结构。下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层。在下结构中形成第一孔。第一孔使基底的上表面暴露。在第一孔中形成牺牲图案。牺牲图案的孔隙率朝向基底增加。在下结构和牺牲图案上形成上结构。上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。在上结构中形成第二孔。第二孔使牺牲图案暴露。去除牺牲图案。

一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括设置包括第一孔的下结构。将第一材料图案形成为至少部分地填充第一孔的第一部分。第一材料图案具有第一孔隙率。在第一材料图案上形成第二材料图案。第二材料图案填充第一孔的第二部分。第二材料图案具有第二孔隙率，第二孔隙率比第一孔隙率低。在下结构和第二材料图案上形成上结构。在上结构中将第二孔形成与第一孔至少部分地叠置。去除第一材料图案和第二材料图案。

一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括设置包括第一孔的下结构。将牺牲图案形成为包括部分地填充第一孔的第一部分的第一材料图案，以在第一材料图案下方留下空隙。在下结构和第一材料图案两者上形成上结构。在上结构中将第二孔形成为暴露牺牲图案。去除牺牲图案。

一种用于制造半导体装置的设备包括被构造为固定晶圆的可旋转晶圆支撑件。牺牲材料供应器被构造为将牺牲材料提供到晶圆上。温度调节器被构造为调节晶圆的温度。牺牲材料供应器被构造为在晶圆上提供第一浓度的牺牲材料，并且然后在晶圆上提供第二浓度的牺牲材料，第二浓度大于第一浓度。温度调节器被构造为在提供第一浓度的牺牲材料时将晶圆保持在第一温度。温度调节器被构造为在提供第二浓度的牺牲材料时将晶圆保持在第二温度，第二温度比第一温度低。