[发明专利]贵金属化合物的制备方法及其应用在审
申请号: | 201910040118.X | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN109904059A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 周树云;张柯楠;王猛;王源;于浦 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L29/22;H01L31/0296;B01J27/057 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及材料科学领域,尤其涉及一种贵金属化合物的制备方法及其应用。所述贵金属化合物的制备方法包括提供衬底,在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜,以形成具有平整表面的第一中间产物。在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应,以形成贵金属化合物。所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB2。其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种,B为硒元素或者碲元素。所述方法制备的所述贵金属化合物可以脱离现有技术中制备贵金属化合物时对于衬底材料的限制。即,所述方法可以在任意的衬底材料上制备所述贵金属化合物。另外,所述方法可以制备大尺寸的所述贵金属化合物,所述贵金属化合物的尺寸能够满足工业应用的需求。 | ||
搜索关键词: | 贵金属化合物 制备 衬底材料 衬底 材料科学领域 贵金属薄膜 表面沉积 工业应用 平整表面 硒化反应 碲化反应 金 银 硒元素 碲元素 应用 脱离 申请 | ||
【主权项】:
1.一种贵金属化合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S100,提供衬底,在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜,以形成具有平整表面的第一中间产物,所述贵金属为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种;S200,在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应,以形成贵金属化合物,其中所述硒化反应中采用硒或者以硒为主体掺杂碲的混合物,所述碲化反应中采用碲或者以碲为主体掺杂硒的混合物,所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB2,其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种,B为硒元素或者碲元素。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造