[发明专利]贵金属化合物的制备方法及其应用

说明书

本申请涉及材料科学领域，尤其涉及一种贵金属化合物的制备方法及其应用。所述贵金属化合物的制备方法包括提供衬底，在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜，以形成具有平整表面的第一中间产物。在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，以形成贵金属化合物。所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB₂。其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种，B为硒元素或者碲元素。所述方法制备的所述贵金属化合物可以脱离现有技术中制备贵金属化合物时对于衬底材料的限制。即，所述方法可以在任意的衬底材料上制备所述贵金属化合物。另外，所述方法可以制备大尺寸的所述贵金属化合物，所述贵金属化合物的尺寸能够满足工业应用的需求。

技术领域

本申请涉及材料科学领域，尤其涉及一种贵金属化合物的制备方法及其应用。

背景技术

层状过渡族金属硫化物由于其有趣的物理性质以及潜在的光电、自旋电子学器件应用吸引了众多研究者的注意。近些年关于过渡族金属硫化物的研究已经扩展到除常见的半导体性化合物，如MoS₂、MoSe₂或WSe₂，除此之外还包括金属性的第Ⅹ族金属硫化物如PtTe₂或PtSe₂。PtTe₂或PtSe₂具有很好的电学特性。

然而，传统的制备PtTe₂或PtSe₂薄膜的方法均停留在实验室阶段，并不能直接、批量的制备大尺寸的PtTe₂或PtSe₂薄膜。为进一步推进PtTe₂、PtSe₂这类材料的研究和便于实际应用，急需一种方便和有效生长大尺寸PtTe₂、PtSe₂薄膜的方法。

发明内容

基于此，有必要针对目前的问题，提供一种贵金属化合物的制备方法及其应用。

一种贵金属化合物的制备方法，包括以下步骤：

S100，提供衬底，在所述衬底的表面沉积贵金属薄膜，以形成具有平整表面的第一中间产物，所述贵金属为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种；

S200，在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，以形成贵金属化合物，其中所述硒化反应中采用硒或者以硒为主体掺杂碲的混合物，所述碲化反应中采用碲或者以碲为主体掺杂硒的混合物，所述贵金属化合物的结构式为AB或者AB₂，其中A为金、银、铂、钌、铑、钯、锇或铱中的一种或多种，B为硒元素或者碲元素。

在一个实施例中，所述步骤S200具体包括：

S210，在360℃-420℃的范围内，气体环境为氩气的标准大气压下，在所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，以形成结构式为AB的所述贵金属化合物；

S220，在430℃-500℃的范围内，对结构式为AB的所述贵金属化合物进行退火处理，以形成结构式为AB₂的所述贵金属化合物。

在一个实施例中，所述步骤S100中采用离子溅射方法沉积所述贵金属薄膜；

所述步骤S200中采用具有容纳腔的设备对所述第一中间产物的表面进行硒化反应或者碲化反应，在反应过程中通过所述容纳腔的窗口对反应过程进行监控，对测试数据进行表征。

在一个实施例中，所述衬底为陶瓷衬底、硅衬底、玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底或者水溶性衬底中的一种。

在一个实施例中，所述贵金属化合物的表面积为10平方微米-20平方厘米。

在一个实施例中，所述贵金属薄膜的厚度为2纳米到80纳米。