[发明专利]自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法有效
| 申请号： | 201910031985.7 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111434811B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/12;C30B19/04 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种助熔剂法生长自分离氮化镓单晶的方法，包括：采用助熔剂法，以自支撑氮化镓作为籽晶，在所述自支撑氮化镓上生长微孔层；以及利用液相外延方法在所述微孔层上生长获得自分离氮化镓单晶。较之现有技术，本发明通过控制助熔剂法生长氮化镓单晶的生长条件，首先生长一层微孔层，该微孔层不仅可以使籽晶中的应力得到有效释放，而且可以使籽晶中的大部分位错被抑制在该微孔层，从而不会在后续液相外延生长氮化镓单晶中引入应力，还可以在生长后，在该层发生自分离现象，并进一步生长获得了高质量的自分离氮化镓单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 氮化 镓单晶 及其 熔剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
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