[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880099521.3 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN113039630A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 小川和也;大佐贺毅 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/301;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 目的在于提供使对碎裂或者裂纹等进行检测的检查用配线的面积缩小的半导体装置。半导体装置包含:半导体基板,其在表面包含含有半导体元件的有效区域和在有效区域的周围设置的无效区域,在背面包含背面电极;以及检查用配线,其以将有效区域的外周包围的方式设置于半导体基板的表面的无效区域。检查用配线的一端与在半导体基板的表面的无效区域设置且与背面电极电连接的半导体层接触,从而检查用配线与背面电极电连接。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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