[发明专利]半导体装置、半导体装置的泄漏检查方法有效
| 申请号： | 201880098971.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112955725B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 日坂隆行 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01M3/04 | 分类号： | G01M3/04;G01M3/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王培超;卢英日 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板(12)之上设置有半导体器件(33)、泄漏检测用器件(43)、外壁(20)以及分离壁(22)。盖(28)与基板(12)对置地设置。通过基板(12)、外壁(20)、分离壁(22)以及盖(28)，与半导体器件(33)接触的第一中空构造(44a)和与泄漏检测用器件(43)接触的第二中空构造(44b)被分离壁(22)分离而以气密状态形成。具备与泄漏检测用器件(43)电连接，至少一部分向外部露出的端子(14)。泄漏检测用器件(43)的与第二中空构造(44b)接触的部分的至少一部分由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成。外壁(20)的至少一部分与第二中空构造(44b)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 泄漏 检查 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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