[发明专利]半导体装置、半导体装置的泄漏检查方法

说明书

在基板(12)之上设置有半导体器件(33)、泄漏检测用器件(43)、外壁(20)以及分离壁(22)。盖(28)与基板(12)对置地设置。通过基板(12)、外壁(20)、分离壁(22)以及盖(28)，与半导体器件(33)接触的第一中空构造(44a)和与泄漏检测用器件(43)接触的第二中空构造(44b)被分离壁(22)分离而以气密状态形成。具备与泄漏检测用器件(43)电连接，至少一部分向外部露出的端子(14)。泄漏检测用器件(43)的与第二中空构造(44b)接触的部分的至少一部分由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成。外壁(20)的至少一部分与第二中空构造(44b)接触。

技术领域

本发明涉及具有中空构造的半导体装置、以及该半导体装置的泄漏检查方法。

背景技术

在半导体装置中，有的半导体装置在半导体器件的周围形成有具有气密性的中空构造。对于这样的半导体装置，大多实施确认中空构造的气密性的泄漏检查。

在具有中空构造的半导体装置中，有的半导体装置为了确认气密性而在中空构造配置有泄漏检测用器件(例如参照专利文献1)。通过该泄漏检测用器件来检测特定的气体是否侵入至中空构造，由此能够进行泄漏检查。

专利文献1：日本特开2012-163539号公报

但是，在上述半导体装置中，由于在中空构造配置半导体器件和泄漏检测用器件两者，所以中空构造的容积变大。其结果，在对气密性存在问题的个体进行泄漏检查的情况下，侵入中空构造的特定气体的浓度达到能够检测的等级需要很长的时间。由此，泄漏检查所花费的时间变长。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目在于得到一种能够缩短泄漏检查所花费的时间的半导体装置及其检查方法。

本发明所涉及的半导体装置具备：基板；半导体器件，设置于基板之上；泄漏检测用器件，设置于基板之上；外壁，设置于基板之上，从与基板垂直的方向观察时，围着半导体器件以及泄漏检测用器件进行环绕；分离壁，设置于基板之上，从与基板垂直的方向观察时，将被外壁包围的区域分离成包含半导体器件的区域、和包含泄漏检测用器件的区域；盖，与基板对置地设置于外壁以及分离壁之上，与基板、外壁以及分离壁一起形成与半导体器件接触的气密状态的第一中空构造、和与泄漏检测用器件接触的气密状态的第二中空构造；以及端子，与泄漏检测用器件电连接，至少一部分向外部露出，泄漏检测用器件的与第二中空构造接触的至少一部分为，由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成的泄漏检测用部件，上述外壁具有与上述第二中空构造接触的第一外壁部、和未与上述第二中空构造接触的第二外壁部。

另外，本发明所涉及的半导体装置的泄漏检查方法是对半导体装置的泄漏检查方法，该半导体装置具备：基板；半导体器件，设置于基板之上；泄漏检测用器件，设置于基板之上；外壁，设置于基板之上，从与基板垂直的方向观察时，围着半导体器件以及泄漏检测用器件进行环绕；分离壁，设置于基板之上，从与基板垂直的方向观察时，将被外壁包围的区域分离成包含半导体器件的区域、和包含泄漏检测用器件的区域；盖，与基板对置地设置于外壁以及分离壁之上，与基板、外壁以及分离壁一起形成与半导体器件接触的气密状态的第一中空构造、和与泄漏检测用器件接触的气密状态的第二中空构造；以及端子，与泄漏检测用器件电连接，至少一部分向外部露出，泄漏检测用器件的与第二中空构造接触的至少一部分为，由腐蚀性金属、或含有腐蚀性金属的合金构成的泄漏检测用部件，外壁的至少一部分与第二中空构造接触，该半导体装置的泄漏检查方法依次具备如下工序：经由端子，将泄漏检测用器件的电阻作为R1进行测定的工序；将半导体装置放置于高湿度的气体气氛的工序；经由端子，将泄漏检测用器件的电阻作为R2进行测定的工序；以及若R2与R1之差大于规定的阈值，则判定为第一中空构造的气密性不良的工序。

根据本发明的半导体装置以及半导体装置的泄漏检查方法，由于与泄漏检测用器件接触的中空构造、和与半导体器件接触的中空构造被分离壁分离，因此能够缩短泄漏检查所花费的时间。

附图说明