[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201880097216.0 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112930605B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，包括：衬底(1)；位于所述衬底(1)之上的成核层(3)；位于所述成核层(3)与所述衬底(1)之间的金属氮化物薄膜(2)；通过在衬底(1)与成核层(3)之间沉积金属氮化物薄膜(2)，抑制了衬底(1)材料中原子的扩散，使成核层(3)的厚度显著降低，降低半导体结构的总热阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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