[发明专利]监测聚合物层的干法蚀刻以转移半导体器件在审
| 申请号： | 201880095037.3 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112313779A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·布罗多塞亚努 | 申请（专利权）人： | 脸谱科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/311;H01L27/15;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 韩辉峰;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例涉及将发光二极管从载体基底放置到目标基底。至少一个LED嵌入在基底上的聚合物层中。蚀刻在至少一个LED和基底之间的聚合物层。在聚合物层的蚀刻期间监测聚合物层的厚度。响应于确定聚合物层的厚度在目标范围或目标值内，终止聚合物层的蚀刻。响应于对聚合物层进行干法蚀刻，使拾取工具(PUT)与至少一个LED的背离基底的至少一个表面接触，并且在至少一个LED附接到PUT的情况下抬起PUT。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 聚合物 蚀刻 转移 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于脸谱科技有限责任公司，未经脸谱科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880095037.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于信号传输和接收的方法和装置
- 下一篇：用于加扰参考信号的技术
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
