[发明专利]监测聚合物层的干法蚀刻以转移半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

蚀刻在基底和多个发光二极管(LED)中的至少一个LED之间的聚合物层，所述至少一个LED嵌入在所述聚合物层中；

在所述聚合物层的蚀刻期间监测所述聚合物层的厚度；以及

响应于确定所述聚合物层的所述厚度在目标范围内或基本上处于目标值，终止所述聚合物层的蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

响应于所述蚀刻的终止，使拾取工具(PUT)与所述至少一个LED的背离所述基底的至少一个表面接触；以及

在所述至少一个LED附接到所述PUT的情况下抬起所述PUT。

3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述聚合物层包括用氧等离子体干法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述聚合物层包括用空气等离子体干法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述聚合物层包括各向同性蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述聚合物层包括在掩模层下面进行钻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，监测所述聚合物层的所述厚度包括：

使用显微镜捕获所述至少一个LED和所述聚合物层的至少一部分的图像。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述显微镜位于腔室的外部，在所述腔室中执行所述聚合物层的蚀刻。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括使用由光源产生的光照射所述至少一个LED和所述聚合物层的所述至少一部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中由所述光源产生的光在从所述聚合物层到所述基底的方向上传播。

11.根据权利要求9所述的方法，其中由所述光源产生的光在从所述基底到所述聚合物层的方向上传播。

12.根据权利要求7所述的方法，其中所述显微镜包括扫描电子显微镜(SEM)。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述厚度的所述目标范围或所述目标值大于所述至少一个LED发生分层的厚度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标范围或所述目标值限定厚度分布，所述聚合物层的厚度分布形成脊结构。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个LED是微型LED。

16.根据权利要求1所述的方法，其中：

多个LED嵌入在所述聚合物层中；

蚀刻还包括蚀刻所述多个LED之间的聚合物层；以及

监测还包括监测所述多个LED中的LED之间的聚合物层的厚度。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括：

确定所述多个LED的聚合物层的平均厚度；以及

响应于确定所述平均厚度在目标范围内或基本上处于目标值，终止所述聚合物层的蚀刻。

18.一种装置，包括：

等离子体腔室，其中放置具有嵌入在聚合物层中的至少一个LED的基底，以用于在所述聚合物层上执行蚀刻操作；

在所述等离子体腔室外部的图像捕获设备，所述等离子体腔室被配置为捕获所述至少一个LED和所述聚合物层的至少一部分的图像；以及

控制器，其被配置为通过处理所捕获的图像来确定在所述等离子体腔室中蚀刻所述聚合物层期间所述聚合物层的厚度，所述控制器被配置为响应于确定所述厚度在目标范围内或基本上处于目标值而终止所述等离子体腔室中的所述蚀刻操作。