[发明专利]使用电子显微法的半导体计量及缺陷分类有效
| 申请号： | 201880085014.4 | 申请日： | 2018-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111566789B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | S·潘戴夫;A·库兹涅佐夫 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，从第一源获得半导体结构的相应实例的第一多个电子显微镜图像。所述第一多个电子显微镜图像展示一或多个半导体制造参数的不同值。训练模型，所述模型指定所述第一多个电子显微镜图像与所述一或多个半导体制造参数的所述值之间的关系。收集一或多个半导体晶片上的所述半导体结构的相应实例的第二多个电子显微镜图像。所述一或多个半导体晶片不同于所述第一源。使用所述模型预测所述第二多个电子显微镜图像的所述一或多个半导体制造参数的值。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电子 显微 半导体 计量 缺陷 分类 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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