[发明专利]立面延伸的存储器单元串的晶体管和阵列在审
| 申请号： | 201880083165.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111512440A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | D·H·韦尔斯;L·C·特兰;李杰;A·A·汗埃卡;K·舍罗特瑞 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11556;H01L29/792;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶体管包含具有第一侧和相对的第二侧的沟道材料。栅极在所述沟道材料的所述第一侧上，并且栅极绝缘体在所述栅极和所述沟道材料之间。第一绝缘材料具有第一侧和相对的第二侧，所述第一侧邻近所述沟道材料的所述第二侧。与所述第一绝缘材料的成分不同的第二绝缘材料邻近所述第一绝缘材料的所述第二侧。所述第二绝缘材料具有(a)、(b)和(c)中的至少一种，其中，(a)：低于所述第一材料的氧扩散率，(b)：净正电荷，和(c)：所述第一材料的至少两倍的剪切强度。在一些实施例中，立面延伸的存储器单元串的阵列包含此类晶体管。公开了其它实施例，包括方法。 | ||
| 搜索关键词： | 延伸 存储器 单元 晶体管 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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