[发明专利]立面延伸的存储器单元串的晶体管和阵列

说明书

晶体管包含具有第一侧和相对的第二侧的沟道材料。栅极在所述沟道材料的所述第一侧上，并且栅极绝缘体在所述栅极和所述沟道材料之间。第一绝缘材料具有第一侧和相对的第二侧，所述第一侧邻近所述沟道材料的所述第二侧。与所述第一绝缘材料的成分不同的第二绝缘材料邻近所述第一绝缘材料的所述第二侧。所述第二绝缘材料具有(a)、(b)和(c)中的至少一种，其中，(a)：低于所述第一材料的氧扩散率，(b)：净正电荷，和(c)：所述第一材料的至少两倍的剪切强度。在一些实施例中，立面延伸的存储器单元串的阵列包含此类晶体管。公开了其它实施例，包括方法。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及晶体管、立面延伸的存储器单元串的阵列、形成晶体管的沟道区的方法以及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是集成电路的一种类型，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可以被制造成一或多个个别存储器单元的阵列。可以使用数字线(其也可以被称为位线、数据线或读出线)和存取线(其也可以被称为字线)将存储器单元写入或读取。读出线可以沿阵列的列导电地互连存储器单元，而存取线可以沿阵列的行导电地互连存储器单元。可以通过读出线与存取线的组合来唯一地寻址每个存储器单元。

存储器单元可以是易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可以在没有电源的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散，并且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可以具有毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元被配置成将存储器保持或存储在至少两个不同的可选择状态中。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可以被配置成存储多于两个级别或状态的信息。

场效应晶体管是可以用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包含一对导电源极/漏极区，在它们之间具有半导电沟道区。导电栅极邻近沟道区，并且由薄栅极绝缘体隔开。向栅极施加适当的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个流到另一个。当从栅极移除电压时，很大程度上防止电流流过沟道区。场效应晶体管还可以包括额外结构，例如作为栅极绝缘体和导电栅极之间的栅极结构的一部分的可逆可编程电荷存储区。

快闪存储器是存储器的一种类型，并且在现代计算机和装置中具有许多用途。例如，现代个人计算机可以具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一个示例，计算机和其它装置越来越普遍地利用固态驱动器中的快闪存储器储器来代替常规硬盘驱动器。作为又一个示例，快闪存储器储器在无线电子装置中是普遍的，因为其使得制造商能够在新通信协议变得标准化时支持所述新通信协议，并且提供远程升级装置以获得增强特征的能力。

NAND可以是集成快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包含至少一个选择装置，其串联耦合到存储器单元的串联组合(其中所述串联组合通常被称为NAND串)。NAND架构可以被配置成包含垂直堆叠存储器单元的三维布置，所述垂直堆叠存储器单元个别的包含可逆可编程垂直晶体管。

晶体管可以用于存储器电路以外的电路中。

附图说明

图1是根据本发明实施例的立面延伸的存储器单元串的阵列的一部分的示意性横截面图。

图2是沿图1中的线2-2截取的横截面图。

图3是沿图1中的线3-3截取的横截面图。

图4是根据本发明实施例的立面延伸的存储器单元串的阵列的一部分的示意性横截面图。

图5是根据本发明实施例的晶体管的示意性横截面图。

图6是根据本发明实施例的晶体管的示意性横截面图。

图7是在根据本发明实施例的工艺中的衬底结构的示意性横截面图。

图8是在图7所示步骤之后的工艺步骤处图7结构的视图。