[发明专利]用于干洗半导体基板的等离子体装置有效
| 申请号： | 201880081187.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111492460B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 金仁俊;李佶洸;林斗镐;朴在阳;金珍泳 | 申请（专利权）人： | 艾斯宜株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 钟锦舜;王丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。本发明包括：卡盘，该卡盘设置在腔室下端部，并且在该卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；CCP型RF电极单元，其包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在等离子体产生区域下方的下RF电极；和RF电源单元，其向RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率，其中通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持等离子体，以用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH |
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| 搜索关键词： | 用于 干洗 半导体 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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