专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原位干洗方法和装置-CN201880060920.9有效
  • 金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 - 艾斯宜株式会社
  • 2018-09-19 - 2023-08-01 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化物或氮化物的干洗方法,该干洗方法包括:反应产物生产步骤,其中通过将与所述氧化硅或所述氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的所述硅基板,将所述氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6);以及反应产物去除步骤,其中通过将经加热的传热气体供应到形成有六氟硅酸铵的硅基板,去除所述六氟硅酸铵。根据本发明,可以在一个腔室中执行生成和去除六氟硅酸铵的工艺以去除形成在基板上的氧化硅或氮化硅,因此可以提高生产率和硬件稳定性。
  • 原位干洗方法装置
  • [发明专利]基板处理方法和装置-CN201880060924.7有效
  • 金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 - 艾斯宜株式会社
  • 2018-09-19 - 2023-08-01 - H01L21/02
  • 本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化硅或氮化硅的基板处理方法,包括以下步骤:通过将与氧化硅或氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的硅基板,将氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6);通过将未经等离子体处理的惰性气体供应到已生成六氟硅酸铵的硅基板来去除六氟硅酸铵;以及通过将经加热而转变为激发态的含氢气体喷射到去除了(NH4)2SiF6的硅基板上来去除残留在硅基板的表面上的含氟(F)的残留物。根据本发明,可以使用被加热至预定温度的含氢气体去除在干洗期间残留在表面上的氟,从而可以显著提高氟的去除效率和生产率。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]使用等离子体和蒸汽的干式清洁设备-CN202080034382.3有效
  • 李佶洸;林斗镐;吴相龙;朴在阳 - 艾斯宜株式会社
  • 2020-04-24 - 2023-07-25 - B08B3/02
  • 根据本发明的一种使用等离子体和蒸汽的干式清洁设备包括:腔室,所述腔室具有在其上表面部分上形成的上供应端口,具有在其下表面部分上形成的排放端口,具有在其侧表面部分上形成的侧供应端口,并且提供清洁空间;卡盘,所述卡盘联接到所述腔室的所述下表面部分,并且包括非晶硅、多晶硅、氧化硅或氮化硅的单晶硅基板布置在所述卡盘上;RF电极,所述RF电极联接到所述腔室的所述上表面部分,并且被施加RF功率;上喷头,所述上喷头联接到所述RF电极,以便与所述腔室的所述上表面部分上形成的所述上供应端口连通,并且具有在其上形成的多个上喷射孔;下喷头,所述下喷头联接到所述腔室的所述侧表面部分,具有多个第一下喷射孔,具有在其上形成的允许与所述侧供应端口连通的多个第二下喷射孔,并且电接地;反应气体供应单元,所述反应气体供应单元用于通过所述腔室的所述上表面部分上形成的所述上供应端口供应反应气体;以及蒸汽供应单元,所述蒸汽供应单元用于通过所述腔室的所述侧表面部分上形成的所述侧供应端口供应热蒸汽。
  • 使用等离子体蒸汽清洁设备
  • [发明专利]使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法-CN202080034449.3有效
  • 李佶洸;林斗镐;吴相龙;朴在阳 - 艾斯宜株式会社
  • 2020-04-24 - 2023-04-04 - B08B3/02
  • 一种根据本发明的使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法包括:反应步骤,在反应腔室中通过使用等离子体处理的反应气体将在单晶硅基板上形成的非晶硅、多晶硅、氧化硅或氮化硅转化为包含六氟硅酸铵的反应物;转移步骤,将其上形成有所述反应物的所述硅基板转移到与所述反应腔室分开地设置的反应物去除腔室;以及反应物去除步骤,用通过在所述反应物去除腔室的上表面部分中形成的蒸汽供应端口供应的高温蒸汽喷射所述反应物,以使所述反应物蒸发,并且将所蒸发的反应物与所述高温蒸汽一起通过在所述反应物去除腔室的下表面部分中形成的排放端口排放。
  • 使用等离子体蒸汽清洁方法
  • [发明专利]用于干洗半导体基板的等离子体装置-CN201880081187.9有效
  • 金仁俊;李佶洸;林斗镐;朴在阳;金珍泳 - 艾斯宜株式会社
  • 2018-11-09 - 2023-03-31 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置,其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。本发明包括:卡盘,该卡盘设置在腔室下端部,并且在该卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板;CCP型RF电极单元,其包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在等离子体产生区域下方的下RF电极;和RF电源单元,其向RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率,其中通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持等离子体,以用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6),并且通过具有第二RF频率的第二RF功率供应来控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。
  • 用于干洗半导体等离子体装置
  • [发明专利]基板清洁装置-CN202110494345.7有效
  • 裵哲敏 - 艾斯宜株式会社
  • 2021-05-07 - 2023-01-31 - B08B3/02
  • 提供一种基板清洁装置。基板清洁装置包括旋转卡盘;基板支撑件,联接到旋转卡盘并支撑基板;主轴,被配置为使旋转卡盘旋转;上部喷嘴,设置在基板的上方并且具有被形成为面向基板的上表面的向下出口,该基板通过主轴而与旋转卡盘一起旋转;下部喷嘴主体,安装在形成在旋转卡盘和主轴中的空腔中;第一下部喷嘴,形成在下部喷嘴主体的中央区域中并且具有被形成为面向基板的下表面的第一向上出口;第二下部喷嘴,以与第一下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中,并具有被形成为面向基板的下表面的第二向上出口;第三下部喷嘴,以与第一下部喷嘴和第二下部喷嘴间隔开的方式形成在下部喷嘴主体中,并具有被形成为与旋转卡盘的上表面平行的横向出口。
  • 清洁装置
  • [发明专利]袋型喷嘴清洁设备-CN202210279059.3在审
  • 李在圣;裵哲敏;张贤植 - 艾斯宜株式会社
  • 2022-03-18 - 2022-10-04 - B05B15/555
  • 本发明涉及一种袋型喷嘴清洁设备,包括:袋状外壳,所述袋状外壳中形成有袋状空间,所述袋状空间包括容纳构成分发器的喷嘴的本体的本体容纳空间和容纳联接到所述喷嘴的所述本体的尖端的尖端容纳空间;本体清洁模块,其被构造为清洁容纳在所述本体容纳空间中的所述喷嘴的所述本体;以及尖端清洁模块,其被构造为清洁容纳在所述尖端容纳空间中的所述喷嘴的所述尖端。根据本发明,通过在构成所述分发器的所述喷嘴的所述尖端和所述本体容纳在所述袋状空间中的状态下执行清洁和干燥工艺,可显著地减少清洁和干燥所花费的时间,并且可完全地去除在半导体工艺中可能附着到所述喷嘴的所述本体及其尖端的污染物以解决在所述半导体工艺中缺陷的原因。
  • 喷嘴清洁设备

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