[发明专利]具有多层的解聚集的堆叠的半导体管芯架构在审
| 申请号： | 201880062647.3 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111133576A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | E.伯顿 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/18;H01L23/04;H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;陈岚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有一个或多个基础管芯的堆叠的半导体管芯架构以及形成这样的架构的技术。堆叠的半导体管芯架构可以被包括在半导体封装中或用于形成半导体封装。堆叠的半导体管芯架构可以包括：（i）一个或多个基础管芯（例如，至少一个解聚集的基础管芯、至少一个单片基础管芯等）；以及（ii）载体晶片，其具有嵌入在该载体晶片中的多个堆叠的半导体管芯，其中载体晶片位于一个或多个基础管芯上，并且其中一个或多个互连结构（例如，导线、凸块、微凸块、柱等）将一个或多个基础管芯耦合到载体晶片和/或堆叠的半导体管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多层 解聚 堆叠 半导体 管芯 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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