[发明专利]半导体晶片的制造方法、半导体能量线检测元件的制造方法及半导体晶片有效
| 申请号： | 201880057592.7 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN111066156B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 小杉和正;镰田真太郎;山村和久 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体晶片中设置贯通狭缝。从与第一主面正交的方向观察，第一假想切割线界定包括能量线感应区域的芯片部。第二假想切割线至第二半导体区域的边缘的最短距离小于该第一假想切割线至第二半导体区域的边缘的最短距离。贯通狭缝沿着第二假想切割线沿厚度方向贯通半导体晶片。通过设置贯通狭缝，将第一半导体区域(3)露出的侧面形成于芯片部。通过向第一半导体区域(3)露出的侧面添加杂质，将第一导电型的第四半导体区域设置于芯片部的该侧面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 制造 方法 能量 检测 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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