[发明专利]半导体晶片的制造方法、半导体能量线检测元件的制造方法及半导体晶片

权利要求书

1.一种半导体晶片的制造方法，其中，包括：

准备半导体晶片，所述半导体晶片具有包括相互对置的第一主面和第二主面的第一导电型的第一半导体区域；

在所述第一半导体区域的所述第一主面侧，形成与该第一半导体区域一起构成能量线感应区域的第二导电型的第二半导体区域；

在所述第一半导体区域的所述第二主面侧，形成杂质浓度高于所述第一半导体区域的第一导电型的第三半导体区域；

从与所述第一主面正交的方向观察，沿着界定包括所述能量线感应区域的芯片部的第一假想切割线、和第二假想切割线二者之中的该第二假想切割线，形成沿厚度方向贯通所述半导体晶片的贯通狭缝，由此将所述第一半导体区域露出的侧面形成于所述芯片部；和

对通过设置所述贯通狭缝而露出的所述侧面添加杂质，从而在该侧面侧设置所述第一导电型的第四半导体区域，

所述第二假想切割线与所述第二半导体区域的边缘的最短距离，小于所述第一假想切割线与所述第二半导体区域的边缘的最短距离。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其中，

所述贯通狭缝通过干式蚀刻而形成。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片的制造方法，其中，

还包括：在所述第一主面和所述第二主面设置金属层，

在设置了所述金属层后，通过离子注入将所述杂质添加到所述芯片部的侧面。

4.根据权利要求2所述的半导体晶片的制造方法，其中，

还包括：在所述第一主面和所述第二主面设置金属层，

在设置了所述金属层后，通过离子注入将所述杂质添加到所述芯片部的侧面。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片的制造方法，其中，

所述第三半导体区域被设置成该第三半导体区域的厚度方向上的长度小于所述第二半导体区域的厚度方向上的长度。

6.一种半导体能量线检测元件的制造方法，其中，包括：

准备通过权利要求1～5中任一项所述的制造方法制造的半导体晶片；和

沿着所述第一假想切割线分离芯片部。