[发明专利]具有含超晶格的凹陷的沟道阵列晶体管（RCAT）的半导体器件及相关方法

摘要

一种半导体器件，可以包括：基板；至少一个存储器阵列，其在基板上包括多个凹陷的沟道阵列晶体管(RCAT)；以及外围电路系统，其在基板上与所述至少一个存储器阵列相邻并且包括多个互补金属氧化物(CMOS)晶体管。CMOS晶体管中的每一个可以包括：基板中间隔开的并在它们之间限定沟道区域的源极和漏极区域；在沟道区域中的在源极和漏极区域之间延伸的超晶格；以及在超晶格上方并且在源极和漏极区域之间的栅极。超晶格可以包括多个堆叠的层组，其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，以及被限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。