[发明专利]光半导体元件的制造方法及光半导体元件在审
| 申请号： | 201880040231.1 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110914745A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 福永圭吾;堀口裕一郎;前田和弘;津波大介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括：在半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；对所述层进行蚀刻而形成台面结构的工序；形成绝缘膜而将台面结构覆盖的工序；将绝缘膜的膜厚减少至接触层的上表面露出为止，将残留的绝缘膜作为侧壁的工序；形成电介质树脂层而埋入台面结构及侧壁的工序；对电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成开口部，使接触层的上表面露出的工序；在开口部内形成电极的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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