[发明专利]光半导体元件的制造方法及光半导体元件

说明书

包括：在半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；对所述层进行蚀刻而形成台面结构的工序；形成绝缘膜而将台面结构覆盖的工序；将绝缘膜的膜厚减少至接触层的上表面露出为止，将残留的绝缘膜作为侧壁的工序；形成电介质树脂层而埋入台面结构及侧壁的工序；对电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成开口部，使接触层的上表面露出的工序；在开口部内形成电极的工序。

技术领域

本发明涉及光半导体元件的制造方法及光半导体元件，特别是涉及在马赫－曾德型光调制器中使用的光半导体元件的制造方法及光半导体元件。

背景技术

图20是整体由500表示的在以往的马赫－曾德型光调制器中使用的光半导体元件的剖视图。光半导体元件500在半导体基板1上具备由活性层9、包层10及接触层11构成的台面结构12。在半导体基板1的表面及台面结构12的侧面形成有绝缘膜28，而且台面结构12的两侧由电介质树脂层14埋入。在电介质树脂层14上形成有绝缘膜15。并且，接触层11上的绝缘膜15开口，设有与接触层11电连接的电极16。

在光半导体元件500的制造工序中，如图21所示，在台面结构12的接触层11上形成帽盖层24，以覆盖台面结构12及帽盖层的方式形成绝缘膜28及电介质树脂层14。接下来，在电介质树脂层14上形成抗蚀剂掩模25。

接下来，如图22所示，将抗蚀剂掩模25用作蚀刻掩模，对绝缘膜28及电介质树脂层14进行蚀刻。此时，帽盖层24的宽度W2比台面结构12的宽度W1窄，因此以帽盖层24的上表面露出的时间点为目标而停止蚀刻，由此防止图23所示那样的台面结构12的侧面的绝缘膜28及电介质树脂层14的过蚀刻，即电介质树脂层14的剥离(例如，参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-44793号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，在上述以往的制造方法中，在蚀刻中需要通过例如离子或游离基的发光强度的变化来检测帽盖层24的上表面露出的时间点(蚀刻停止点)，但是帽盖层24的上表面的面积与半导体基板1的面积相比极小。因此，离子等的发光强度也小，难以基于发光强度的变化检测蚀刻停止点。

因此，本发明的目的在于提供一种不需要检测蚀刻状态而防止电介质树脂层从台面结构剥离的光半导体元件的制造方法及光半导体元件。

用于解决课题的方案

本发明涉及一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体基板的工序；

在半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；

对活性层、包层及接触层进行蚀刻，从而在半导体基板上形成活性层、包层及接触层层叠而成的台面结构的工序；

在半导体基板上形成绝缘膜而将台面结构覆盖的工序；

将绝缘膜的膜厚减少至接触层的上表面露出为止，将在台面结构的侧面上残留的绝缘膜作为侧壁的工序；

在半导体基板上形成电介质树脂层而将台面结构及侧壁埋入的工序；

对电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成第一开口部，在第一开口部内使接触层的上表面露出的第一开口工序；及

以与接触层连接的方式形成电极的工序。

另外，本发明涉及一种光半导体元件，其特征在于，包括：

半导体基板；

台面结构，所述台面结构形成在半导体基板上，层叠有活性层、包层及接触层；