[发明专利]光半导体元件的制造方法及光半导体元件

权利要求书

1.一种光半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

准备半导体基板的工序；

在该半导体基板上依次堆积活性层、包层及接触层的工序；

对该活性层、该包层及该接触层进行蚀刻，从而在该半导体基板上形成该活性层、该包层及该接触层层叠而成的台面结构的工序；

在该半导体基板上形成绝缘膜而将该台面结构覆盖的工序；

将该绝缘膜的膜厚减少至该接触层的上表面露出为止，将在该台面结构的侧面上残留的绝缘膜作为侧壁的工序；

在该半导体基板上形成电介质树脂层而将该台面结构及该侧壁埋入的工序；

对该电介质树脂层选择性地进行蚀刻而形成第一开口部，在该第一开口部内使该接触层的上表面露出的第一开口工序；及

以与该接触层连接的方式形成电极的工序。

2.根据权利要求1所述的光半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述制造方法在所述第一开口工序之后，还包括：

在所述半导体基板上形成第二绝缘膜而将所述第一开口部的内表面及所述电介质树脂层覆盖的工序；及

对该第二绝缘膜选择性地进行蚀刻而形成第二开口部，在该第二开口部内使所述接触层的上表面露出的第二开口工序。

3.根据权利要求1或2所述的光半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第一开口部的宽度比所述台面结构的宽度宽，所述第一开口工序是对所述电介质树脂层进行蚀刻以使该电介质树脂层的开口端位于所述侧壁上的工序。

4.根据权利要求2所述的光半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述第二开口部的宽度比所述台面结构的宽度宽，所述第二开口工序是对所述绝缘膜进行蚀刻以使该绝缘膜的开口端位于所述侧壁上的工序。

5.一种光半导体元件，其特征在于，包括：

半导体基板；

台面结构，所述台面结构形成在该半导体基板上，层叠有活性层、包层及接触层；

侧壁，所述侧壁覆盖该台面结构的侧面；

电介质树脂层，所述电介质树脂层在该半导体基板上以填埋该侧壁的方式形成，并具有使该接触层的上表面露出的第一开口部；及

电极，所述电极以与该接触层连接的方式设置。

6.根据权利要求5所述的光半导体元件，其特征在于，

所述光半导体元件还包括绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述侧壁及所述电介质树脂层且具有使所述接触层的上表面露出的第二开口部。

7.根据权利要求5或6所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第一开口部的宽度比所述台面结构的宽度大，该第一开口部的开口端位于所述侧壁的表面上。

8.根据权利要求6所述的光半导体元件，其特征在于，

所述第二开口部的宽度比所述台面结构的宽度大，该第二开口部的开口端位于所述侧壁的表面上。

9.一种光半导体元件，其特征在于，包括：

半导体基板；

台面结构，所述台面结构形成在该半导体基板上，层叠有光波导路活性层、包层及接触层；

侧壁，所述侧壁覆盖该台面结构的侧面，且在该半导体基板的表面上延伸；

电介质树脂层，所述电介质树脂层在该半导体基板上以填埋该侧壁的方式形成，并具有使该接触层的上表面露出的第一开口部；及

电极，所述电极以与该接触层连接的方式设置。

10.根据权利要求9所述的光半导体元件，其特征在于，

所述光半导体元件还包括第二绝缘膜，所述第二绝缘膜覆盖所述侧壁且具有使所述接触层的上表面露出的第二开口部。

11.根据权利要求6、8、10中任一项所述的光半导体元件，其特征在于，

第一开口部的宽度比第二开口部的宽度大。

12.一种光调制器，其特征在于，具备权利要求5～11中任一项所述的光半导体元件。