[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880028792.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110574169B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管区；发射电极，其设置于半导体基板上；第一虚设沟槽部，其设置于半导体基板的晶体管区，且具有与发射电极电连接的虚设导电部；以及第一接触部，其设置于晶体管区的一部分的区域，并且使设置于晶体管区的第一导电型的半导体区与发射电极电连接，该晶体管区的一部分的区域为第一虚设沟槽部的长型部的端部与半导体基板的端部之间的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板，其具有晶体管区；/n发射电极，其设置于所述半导体基板上；/n第一虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的所述晶体管区，且具有与所述发射电极电连接的虚设导电部；以及/n第一接触部，其设置于所述晶体管区的一部分的区域，并且使设置于所述晶体管区的第一导电型的半导体区与所述发射电极电连接，所述晶体管区的所述一部分的区域为所述第一虚设沟槽部的长型部的端部与所述半导体基板的端部之间的区域。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880028792.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
