[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管区；发射电极，其设置于半导体基板上；第一虚设沟槽部，其设置于半导体基板的晶体管区，且具有与发射电极电连接的虚设导电部；以及第一接触部，其设置于晶体管区的一部分的区域，并且使设置于晶体管区的第一导电型的半导体区与发射电极电连接，该晶体管区的一部分的区域为第一虚设沟槽部的长型部的端部与半导体基板的端部之间的区域。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知有以使电流在浮置p型区域的内部沿横向流通而到达发射电极的方式设置发射极流道的半导体装置(例如，参照专利文献1)。另外，已知有为了使导通损耗和辐射噪声的值处于规格值内，将与发射电极电连接的p型基区的数量和与发射电极绝缘的p型基区的数量进行调节(例如，参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-135408号公报

专利文献2：日本特开2005-175425号公报

发明内容

技术问题

有时在具备具有与发射电极电连接的虚设导电部的虚设沟槽部的半导体装置中，将发射电极与虚设导电部之间的接触部设置于有源区的端部附近。在设置该接触部的情况下，对于半导体基板内的区域，期望向发射电极抽出残留在接触部与基板主面的端部之间的区域的载流子(例如，空穴)。

技术方案

在本发明的第一方式中，提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板、发射电极、第一虚设沟槽部和第一接触部。半导体基板可以具有晶体管区。发射电极可以设置于半导体基板上。第一虚设沟槽部可以设置于半导体基板的晶体管区。第一虚设沟槽部可以具有虚设导电部。虚设导电部可以与发射电极电连接。在第一接触部，设置于晶体管区的第一导电型的半导体区与发射电极可以电连接。第一接触部可以设置于晶体管区的在第一虚设沟槽部的长型部的端部与半导体基板的端部之间的一部分的区域。

第二方向可以与长型部所延伸的第一方向正交。第一接触部的在第二方向上的宽度可以比第一虚设沟槽部的在第二方向上的宽度大。

晶体管区可以具有台面部。台面部可以是半导体基板的位于相邻的两个第一虚设沟槽部之间的一部分。第一接触部的在与长型部所延伸的第一方向正交的第二方向上的宽度可以比台面部的第二方向的宽度大。

第一虚设沟槽部可以包括长型部和短型部。长型部可以沿第一方向延伸。短型部可以沿与第一方向正交的第二方向延伸。短型部可以在长型部的第一方向上的端部与长型部连接。第一接触部的在第二方向上的宽度可以比第一虚设沟槽部的短型部的在第二方向上的宽度大。

半导体装置还可以具备连接层。连接层可以设置于晶体管区。连接层可以至少与短型部的虚设导电部电连接。连接层可以是多晶硅层。第一接触部的在第二方向上的宽度可以比连接层的在第二方向上的宽度大。

第一接触部可以包括主区域和副区域。主区域可以与正交于第一方向的第二方向平行地延伸。第一方向可以是第一虚设沟槽部的长型部所延伸的方向。副区域可以与主区域连接。副区域可沿从主区域朝向第一虚设沟槽部的方向延伸。

第一接触部可以具有一个主区域和两个副区域。两个副区域可以是第一副区域和第二副区域。第一副区域可以与主区域的第二方向上的第一端部连接。第一副区域可以沿朝向第一虚设沟槽部的方向延伸。第二副区域可以与主区域的第二端部连接。第二端部可以是主区域的与第一端部不同的第二方向上的端部。第二副区域可以沿朝向第一虚设沟槽部的方向延伸。