[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有晶体管区；

发射电极，其设置于所述半导体基板上；

第一虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的所述晶体管区，且具有与所述发射电极电连接的虚设导电部；以及

第一接触部，其设置于所述晶体管区的一部分的区域，并且使设置于所述晶体管区的第一导电型的半导体区与所述发射电极电连接，所述晶体管区的所述一部分的区域为所述第一虚设沟槽部的长型部的端部与所述半导体基板的端部之间的区域，

所述第一接触部的在第二方向上的宽度比所述第一虚设沟槽部的在所述第二方向上的宽度大，所述第二方向与所述长型部所延伸的第一方向正交。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有晶体管区；

发射电极，其设置于所述半导体基板上；

第一虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的所述晶体管区，且具有与所述发射电极电连接的虚设导电部；以及

第一接触部，其设置于所述晶体管区的一部分的区域，并且使设置于所述晶体管区的第一导电型的半导体区与所述发射电极电连接，所述晶体管区的所述一部分的区域为所述第一虚设沟槽部的长型部的端部与所述半导体基板的端部之间的区域，

所述晶体管区具有台面部，所述台面部是所述半导体基板的位于相邻的两个所述第一虚设沟槽部之间的一部分，

所述第一接触部的在与所述长型部所延伸的第一方向正交的第二方向上的宽度比所述台面部的在所述第二方向上的宽度大。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有晶体管区；

发射电极，其设置于所述半导体基板上；

第一虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的所述晶体管区，且具有与所述发射电极电连接的虚设导电部；以及

第一接触部，其设置于所述晶体管区的一部分的区域，并且使设置于所述晶体管区的第一导电型的半导体区与所述发射电极电连接，所述晶体管区的所述一部分的区域为所述第一虚设沟槽部的长型部的端部与所述半导体基板的端部之间的区域，

所述第一虚设沟槽部包括：

所述长型部，其沿第一方向延伸；以及

短型部，其沿与所述第一方向正交的第二方向延伸，并在所述长型部的所述第一方向上的端部与所述长型部连接，

所述第一接触部的在所述第二方向上的宽度比所述第一虚设沟槽部的所述短型部的在所述第二方向上的宽度大。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备连接层，所述连接层是设置于所述晶体管区并且至少与所述短型部的所述虚设导电部电连接的多晶硅层，

所述第一接触部的在所述第二方向上的宽度比所述连接层的在所述第二方向上的宽度大。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有晶体管区；

发射电极，其设置于所述半导体基板上；

第一虚设沟槽部，其设置于所述半导体基板的所述晶体管区，且具有与所述发射电极电连接的虚设导电部；以及

第一接触部，其设置于所述晶体管区的一部分的区域，并且使设置于所述晶体管区的第一导电型的半导体区与所述发射电极电连接，所述晶体管区的所述一部分的区域为所述第一虚设沟槽部的长型部的端部与所述半导体基板的端部之间的区域，

所述第一接触部包括：

主区域，其与第二方向平行地延伸，所述第二方向与所述第一虚设沟槽部的所述长型部所延伸的第一方向正交；以及

副区域，其与所述主区域连接，并且沿从所述主区域朝向所述第一虚设沟槽部的方向延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触部具有一个所述主区域和两个所述副区域，

两个所述副区域是第一副区域和第二副区域，

所述第一副区域与所述主区域的所述第二方向上的第一端部连接，并沿朝向所述第一虚设沟槽部的方向延伸，

所述第二副区域连接到所述主区域的与所述第一端部不同的所述第二方向上的第二端部，并沿朝向所述第一虚设沟槽部的方向延伸。