[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积在审

申请号：	201880025529.5	申请日：	2018-03-01
公开（公告）号：	CN110520964A	公开（公告）日：	2019-11-29
发明（设计）人：	汤姆·A·坎普;米尔扎菲尔·K·阿巴特切夫	申请（专利权）人：	朗姆研究公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/033;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/455
代理公司：	31263 上海胜康律师事务所	代理人：	李献忠;张静<国际申请>=PCT/US2
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供了一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法。将所述堆叠件放置在蚀刻室中。通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止。蚀刻所述氧化硅层的一部分。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。
搜索关键词：	蚀刻室原子层沉积前体臭氧气体堆叠件等离子体图案化掩模碳基沉积沉积氧化硅层蚀刻原子层沉积沉积阶段前体气体氧化硅层硅前体氧沉积去除流动
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法，其包括：/n将所述堆叠件放置在蚀刻室中；/n通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，而不消耗或侵蚀所述碳基图案化掩模，其中，所述多个循环中的每个循环包括：/n提供硅前体沉积阶段，其包括：/n使包含含硅成分的原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积在所述碳基图案化掩模上；以及/n使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及/n提供氧沉积阶段，其包括：/n使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及/n使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止；/n蚀刻所述氧化硅层的一部分，其包括：/n使包含碳氟化合物的成形气体流入所述蚀刻室；/n使所述成形气体形成为等离子体，从而蚀刻所述氧化硅层；以及/n使所述成形气体的流动停止；并且/n从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。/n

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880025529.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积在审

专利文献下载