[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积

权利要求书

1.一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法，其包括：

将所述堆叠件放置在蚀刻室中；

通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，而不消耗或侵蚀所述碳基图案化掩模，其中，所述多个循环中的每个循环包括：

提供硅前体沉积阶段，其包括：

使包含含硅成分的原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积在所述碳基图案化掩模上；以及

使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及

提供氧沉积阶段，其包括：

使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及

使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止；

蚀刻所述氧化硅层的一部分，其包括：

使包含碳氟化合物的成形气体流入所述蚀刻室；

使所述成形气体形成为等离子体，从而蚀刻所述氧化硅层；以及

使所述成形气体的流动停止；并且

从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括在将所述堆叠件放置在所述蚀刻室中之后并且在将所述氧化硅层沉积在所述碳基图案化掩模之上之前，修整所述碳基图案化掩模。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：

在刻蚀所述氧化硅层之后剥离所述碳基图案化掩模；以及

在剥离所述碳基图案化掩模之后并且从所述蚀刻室去除所述堆叠件之前，蚀刻在所述氧化硅层下方的蚀刻层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述碳基图案化掩模包含非晶碳、有机材料或光致抗蚀剂中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，BARC层在所述碳基图案化掩模下方，其还包括在将所述氧化硅层沉积在所述碳基图案化掩模上方之前，蚀刻所述BARC层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述原子层沉积前体气体的所述含硅成分是氨基硅烷BTBAS(双(叔丁基丁基氨基)硅烷)或H₂Si[N(C₂H₅)₂]₂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述臭氧气体流入所述蚀刻室中的流动提供大于100毫托的压强。

8.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

在刻蚀所述氧化硅层后剥离所述碳基图案化掩模；以及

在剥离所述碳基图案化掩模之后并且从所述蚀刻室去除所述堆叠件之前，蚀刻在所述氧化硅层下方的蚀刻层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述碳基图案化掩模包含非晶碳、有机材料或光致抗蚀剂中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，BARC层在所述碳基图案化掩模下方，其还包括在将所述氧化硅层沉积在所述碳基图案化掩模上方之前，蚀刻所述BARC层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述原子层沉积前体气体的含硅成分是氨基硅烷BTBAS(双(叔丁基丁基氨基)硅烷)或H₂Si[N(C₂H₅)₂]₂。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述臭氧气体流入所述蚀刻室中的流动提供大于100毫托的压强。