[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积

说明书

提供了一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法。将所述堆叠件放置在蚀刻室中。通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止。蚀刻所述氧化硅层的一部分。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。

相关申请的交叉引用

本申请要求2017年4月20日提交的美国申请No.15/492,662的优先权，其全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及在半导体器件的形成中形成基于硅的沉积。

背景技术

在形成半导体器件中，沉积各种层。

发明内容

为了实现前述目的并且根据本公开的目的，提供了一种用于处理具有碳基图案化掩模的堆叠件的方法。将所述堆叠件放置在蚀刻室中。通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，而不消耗或侵蚀所述碳基图案化掩模，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使包含含硅成分的原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积在所述碳基图案化掩模上，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止。蚀刻所述氧化硅层的一部分，其包括：使包含碳氟化合物的成形气体流入所述蚀刻室，使所述成形气体形成为等离子体，从而蚀刻所述氧化硅层，以及使所述成形气体的流动停止。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。

在另一表现方式中，提供了一种用于蚀刻堆叠件中的蚀刻层的装置，其中，所述蚀刻层在碳基图案化掩模下方。提供处理室。衬底支撑件在所述处理室内。进气口将所述处理气体提供到所述处理室中。气体源将所述处理气体提供至所述进气口，其中，所述气体源包括：臭氧源、原子层沉积前体含硅气体源和成形气体源。排放泵从所述处理室抽出气体。下电极设置在所述衬底支撑件下方。电极或线圈在所述处理室内或附近。至少一个功率源向所述下电极和所述电极或线圈提供功率。控制器能控制地连接至所述气体源和至少一个功率源。所述控制器包括至少一个处理器和计算机可读介质。所述计算机可读介质包括用于以下操作的计算机可读代码：通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使包含含硅成分的原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积在所述碳基图案化掩模上，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止；以及用于蚀刻所述氧化硅层的计算机可读代码，其包括：使包含碳氟化合物的成形气体流入所述蚀刻室，以及使所述成形气体形成为等离子体，从而蚀刻所述氧化硅层。

本发明的这些特征和其它特征将在下面在实施方案的详细描述中并结合以下附图进行更详细的描述。

附图说明

在附图中以示例而非限制的方式示出了本公开，并且附图中相同的附图标记表示相似的元件，其中：

图1是一实施方案的高级流程图。

图2A-F是根据一实施方案处理的堆叠件的示意性剖视图。

图3是可以在一实施方案中使用的蚀刻室的示意图。