[发明专利]III族氮化物半导体基板和III族氮化物半导体基板的制造方法在审
| 申请号： | 201880021145.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110462113A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕辉;石原裕次郎 | 申请（专利权）人： | 古河机械金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/02;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/52;H01L21/205 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈曦;向勇<国际申请>=PCT/JP20 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其中，其由III族氮化物半导体晶体构成，厚度为300μm以上且1000μm以下，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，分别对于所述第一主表面和第二主表面使X射线与所述III族氮化物半导体晶体的m轴平行地入射而进行测定所获得的XRC(X‑ray Rocking Curve，X射线摇摆曲线)的半值宽度之差为500arcsec以下。 | ||
| 搜索关键词： | 主表面 自支撑基板 半极性面 晶体的 入射 平行 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基板，其中，/n其由III族氮化物半导体晶体构成，厚度为300μm以上且1000μm以下，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，/n分别对于所述第一主表面和第二主表面使X射线与所述III族氮化物半导体晶体的m轴平行地入射而进行测定所获得的X射线摇摆曲线的半值宽度之差为500arcsec以下。/n
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