[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880020162.8 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110462840B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具备：在半导体基板的上表面与下表面之间流通电流的有源部；设置在有源部的晶体管部；向晶体管部供给栅极电压的栅极金属层；与栅极金属层电连接的栅极焊盘；在半导体基板的上表面设置在有源部的上方的温度感测部；在半导体基板的上表面配置在有源部与半导体基板的外周端之间的外周区域的温度检测用焊盘；以及具有在半导体基板的上表面沿预先设定的长度方向延伸的长度部分并连接温度感测部与温度检测用焊盘的温度感测布线，在半导体基板的上表面，栅极焊盘配置在将温度感测布线的长度部分沿长度方向延伸到半导体基板的外周端的延伸区域以外的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板；/n有源部，其设置在所述半导体基板，并且在所述半导体基板的上表面和下表面之间流通电流；/n晶体管部，其设置在所述有源部；/n栅极金属层，其与所述晶体管部电连接，并且向所述晶体管部供给栅极电压；/n栅极焊盘，其配置在所述半导体基板的上表面，并且与所述栅极金属层电连接；/n温度感测部，其在所述半导体基板的上表面，设置在所述有源部的上方；/n温度检测用焊盘，其在所述半导体基板的上表面，配置在所述有源部与所述半导体基板的外周端之间的外周区域；以及/n温度感测布线，其具有在所述半导体基板的上表面沿预先设定的长度方向延伸的长度部分，并且将所述温度感测部与所述温度检测用焊盘连接，/n在所述半导体基板的上表面，所述栅极焊盘配置在延伸区域以外的区域，该延伸区域是将所述温度感测布线的所述长度部分沿所述长度方向延伸到所述半导体基板的外周端为止的区域。/n
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