[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶有效
| 申请号： | 201880009025.4 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110234789B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;柴田雅敏 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/01;C23C14/08;H01B1/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜晶体管 烧结 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30 …(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40 …(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98 …(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社，未经出光兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880009025.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：沉积源及具有此沉积源的沉积装置
- 下一篇：操作真空处理系统的方法
- 同类专利
- 专利分类
