[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶

权利要求书

1.一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，

0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)

0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)

0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，

并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，

0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。

2.如权利要求1所述的氧化物半导体膜，其特征在于，所述氧化物半导体膜为无定形状态。

3.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，Ga的比例即Ga/(In+Ga+Sn)其原子比为0.02≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.27。

4.如权利要求1或2所述的氧化物半导体膜，其特征在于，Ga的比例即Ga/(In+Ga+Sn)其原子比为0.03≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.23。

5.如权利要求1-4中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，Sn的比例即Sn/(In+Ga+Sn)其原子比为0.02≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.35。

6.如权利要求1-4中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，Sn的比例即Sn/(In+Ga+Sn)其原子比为0.03≤Sn/(In+Ga+Sn)≤0.30。

7.如权利要求1-6中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.60≤In/(In+Ga+Sn)≤0.96。

8.如权利要求1-6中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.60≤In/(In+Ga+Sn)≤0.94。

9.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.85以上的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.10以上。

10.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.85以上的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.12以上。

11.如权利要求1-10中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.85以上的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.30以下。

12.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.70以下的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.20以下。

13.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.70以下的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.15以下。

14.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.70以下的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.13以下。

15.如权利要求1-8中任一项所述的氧化物半导体膜，其特征在于，在In的比例即In/(In+Ga+Sn)其原子比为0.70以下的情况下，Al的比例即Al/(In+Ga+Sn+Al)其原子比为0.12以下。