[发明专利]用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法

摘要

公开了用于形成三维存储器设备的阶梯结构的方法的实施例。该方法包括：(i)形成交替堆叠结构，所述交替堆叠结构包括沿着垂直方向布置在衬底上的多个层；(ii)去除所述交替堆叠结构的一部分以在所述交替堆叠结构的阶梯区域中形成多个台阶平台；(iii)形成硬掩模层以覆盖所述台阶平台的顶表面；(iv)在所述硬掩模层中形成多个开口以暴露所述台阶平台中的每个台阶平台的一部分；(v)形成光致抗蚀剂层以覆盖所述硬掩模层和所述台阶平台的顶表面；(vi)使用一组相同的修整‑蚀刻工艺来图案化所述光致抗蚀剂层以在所述台阶平台中的每个台阶平台上形成一组阶梯；(vii)去除所述光致抗蚀剂层和所述硬掩模层；并且依次重复(iii)，(iv)，(v)，(vi)和(vii)。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储器设备中的阶梯结构的方法，包括：(i)形成交替堆叠结构，所述交替堆叠结构包括沿着垂直方向布置在衬底上的多个层；(ii)去除所述交替堆叠结构的一部分以在所述交替堆叠结构的阶梯区域中形成多个台阶平台；(iii)形成硬掩模层以覆盖所述台阶平台的顶表面；(iv)在所述硬掩模层中形成多个开口以暴露所述台阶平台中的每个台阶平台的一部分；(v)形成光致抗蚀剂层以覆盖所述硬掩模层和所述台阶平台的顶表面；(vi)使用一组相同的修整‑蚀刻工艺来图案化所述光致抗蚀剂层以在所述台阶平台中的每个台阶平台上形成一组阶梯；(vii)去除所述光致抗蚀剂层和所述硬掩模层；以及(viii)依次重复(iii)，(iv)，(v)，(vi)和(vii)。