[实用新型]半导体芯片、半导体晶圆有效
| 申请号： | 201822268841.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209232780U | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴星星;潘盼 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 刘曾 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种半导体芯片、半导体晶圆，其中半导体芯片包括基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。通过对半导体芯片两端的结构结构设计实现在便于芯片切割的同时，减少芯片背面的结构变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 侧面 通孔 种子金属层 基底 源极 半导体晶圆 背面金属层 电性接触 结构变形 结构结构 设置位置 芯片切割 芯片 贯穿 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；设置于所述第一侧面的所述半导体芯片的源极；设置在所述基底上的通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；基于所述第二侧面形成、并通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层，基于所述种子金属层形成的背面金属层；所述半导体芯片两端各设置一定的距离不覆盖所述种子金属层。
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