[实用新型]压力传感器有效
| 申请号： | 201822256207.1 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209400106U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 罗应树;刘松润;钟茗 | 申请（专利权）人： | 菲比蓝科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种压力传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和相对的下表面；位于半导体衬底中的受压腔体，所述受压腔体的开口位于半导体衬底的下表面，所述受压腔体底部对应的半导体衬底为应变膜；位于应变膜上的应变电阻；位于应变膜中的若干环形沟槽，所述若干环形沟槽位于应变电阻两侧，所述若干环形沟槽用于将应变集中在应变电阻处。本实用新型的压力传感器灵敏度提升，并且过载能力强，不易损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 压力传感器 环形沟槽 受压腔体 应变电阻 应变膜 下表面 本实用新型 灵敏度提升 过载能力 上表面 开口 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和相对的下表面；位于半导体衬底中的受压腔体，所述受压腔体的开口位于半导体衬底的下表面，所述受压腔体底部对应的半导体衬底为应变膜；位于应变膜上的应变电阻；位于应变膜中的若干环形沟槽，所述若干环形沟槽位于应变电阻两侧，所述若干环形沟槽用于将应变集中在应变电阻处。
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