[实用新型]一种压应变PMOS器件有效
| 申请号： | 201822242840.5 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209374453U | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 孙涛涛 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种压应变PMOS器件，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，所述Ge外延层(102)和所述Ge沟道层(103)依次设置于所述Si衬底(101)上；所述栅极(104)设置于所述Ge沟道层(103)表面中间位置处；所述SiGe层(105)设置于所述Ge沟道层(103)表面且位于所述栅极(104)外侧。本实用新型提供的压应变PMOS器件其载流子迁移率显著高于传统PMOS器件载流子迁移率，器件工作速度高、频率特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 压应变 载流子迁移率 本实用新型 外延层 衬底 表面中间位置 频率特性 依次设置 介质层 漏极 漏区 源极 源区 | ||
【主权项】：
1.一种压应变PMOS器件，其特征在于，包括：Si衬底(101)、Ge外延层(102)、Ge沟道层(103)、栅极(104)、SiGe层(105)、源区(106)、漏区(107)、源极(108)、漏极(109)和介质层(110)；其中，所述Ge外延层(102)和所述Ge沟道层(103)依次设置于所述Si衬底(101)上；所述栅极(104)设置于所述Ge沟道层(103)表面中间位置处；所述SiGe层(105)设置于所述Ge沟道层(103)表面且位于所述栅极(104)外侧；所述源区(106)和所述漏区(107)分别设置于所述SiGe层(105)外侧的所述Ge沟道层(103)内；所述源极(108)设置于所述源区(106)上；所述漏极(109)设置于和所述漏区(107)上；所述介质层(110)设置于所述Ge沟道层(103)、所述SiGe层(105)、所述源区(106)、所述漏区(107)和所述栅极(104)上。
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