[实用新型]背入射式阵列光电芯片及其电连接结构有效
申请号: | 201822183940.5 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401645U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 刘宏亮;杨彦伟;邹颜;刘格 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种背入射式阵列光电芯片及其电连接结构,一种背入射式阵列光电芯片,包括多个分光监控单元,每个分光监控单元包括透光槽和光敏区;透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层,光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层;吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区;以芯片的背面为入光侧,多束入射光射向芯片;每束入射光的一部分从对应的分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的分光监控单元的光电转换区内进行光电转换,从而使得该芯片能够对多束入射光分别进行分光和光功率监控;进而使得使用该芯片的光路系统无需使用大量的光分路器,进而大大减小了光路系统的体积和成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片 分光 监控单元 入射光 背入射式 光电芯片 光敏区 透光槽 吸收层 电连接结构 光电转换 光路系统 本实用新型 光电转换区 光功率监控 光分路器 一端连接 顶层 透射 分出 减小 背面 开口 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种背入射式阵列光电芯片,其特征在于:包括衬底、吸收层和顶层;所述芯片还包括多个分光监控单元,每个所述分光监控单元包括透光槽、光敏区和第一电极;所述透光槽向所述芯片任一表面的方向开口并贯穿所述吸收层和所述顶层;所述顶层内设有光敏区并一端连接至所述吸收层;所述吸收层内对应所述光敏区的区域为光电转换区;所述第一电极设于所述芯片的正面并与对应的所述光敏区的另一端相连接;多个所述分光监控单元的光敏区间隔设置,多个所述分光监控单元的第一电极相互绝缘设置;所述芯片的背面上还设有至少一个第二电极,所述第二电极与所述衬底相连接;以所述芯片的背面为入光侧,多束入射光射向所述芯片;每束入射光的一部分从对应的所述分光监控单元的透光槽透射分出,每束入射光的另一部分进入到对应的所述分光监控单元的光电转换区内进行光电转换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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