[实用新型]一种高功率半导体的衬底结构

摘要

本实用新型公开了一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层和基板载体，所述基板载体的下方焊接有支撑板，所述基板载体的两侧外表壁对称开设有连接槽，所述连接槽的底端内表壁等距开设有滑槽，且滑槽的内表壁粘贴有抗氧化膜，所述介电层的上表面且位于相邻晶体安装槽之间嵌设有导电层，所述三个晶体安装槽的一侧内表壁均开设有引脚插孔，且引脚插孔的内部填充有绝缘填充膜。本实用新型中，该衬底结构采用介电层和基板载体组合式的拼接方式，方便对衬底结构进行快速便捷的安装拆卸操作，从而能够在衬底结构某一部分元件损坏时，可以在第一时间对衬底结构进行拆分处理，进而进行快速的更换维修，提高了衬底结构的使用灵活性。

主权项

1.一种高功率半导体的衬底结构，包括介电层(1)和基板载体(3)，其特征在于，所述基板载体(3)的下方焊接有支撑板(31)，所述基板载体(3)的两侧外表壁对称开设有连接槽(6)，所述连接槽(6)的底端内表壁等距开设有滑槽(61)，且滑槽(61)的内表壁粘贴有抗氧化膜(62)，所述介电层(1)的上方设置有抗电镀层(9)，所述介电层(1)的上表面等距开设有三个晶体安装槽(8)，所述介电层(1)的上表面且位于相邻晶体安装槽(8)之间嵌设有导电层(7)，所述三个晶体安装槽(8)的一侧内表壁均开设有引脚插孔(11)，且引脚插孔(11)的内部填充有绝缘填充膜(111)。